公开(公告)号：CN105762162A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610195655.8

申请日：2012-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 曾田岳彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14831 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明公开了固态成像设备、照相机和固态成像设备的设计方法。提供一种包括按层布置的两个半导体基板的固态成像设备。每个半导体基板具有其中形成有构成像素阵列的一部分的电路的半导体区。所述两个半导体基板中的电路彼此电连接。每个半导体基板包括用于将电压供给半导体区的一个或多个接触插头。像素阵列中的一个半导体基板的接触插头的数量不同于像素阵列中的另一个半导体基板的接触插头的数量。

公开(公告)号：CN103811508B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310557942.5

申请日：2013-11-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 曾田岳彦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相机。该固态图像传感器包括：具有第一面和第二面的半导体层以及被布置在第一面那一侧的布线结构，其中，光电转换器被布置在半导体层中并且光入射在第二面上。布线结构包括：反射部分，具有反射区域并且被布置用于光电转换器中的至少一些；吸收部分，被布置在反射区域周围；绝缘体部分，被布置为围绕吸收部分；以及层间绝缘膜，被布置在第一面与反射部分、光吸收部分和绝缘体部分的群组之间，以及光吸收部分的反射率小于反射区域的反射率，光吸收部分的光透射率小于绝缘体部分的光透射率。

公开(公告)号：CN103811508A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310557942.5

申请日：2013-11-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 曾田岳彦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相机。该固态图像传感器包括：具有第一面和第二面的半导体层以及被布置在第一面那一侧的布线结构，其中，光电转换器被布置在半导体层中并且光入射在第二面上。布线结构包括：反射部分，具有反射区域并且被布置用于光电转换器中的至少一些；吸收部分，被布置在反射区域周围；绝缘体部分，被布置为围绕吸收部分；以及层间绝缘膜，被布置在第一面与反射部分、光吸收部分和绝缘体部分的群组之间，以及光吸收部分的反射率小于反射区域的反射率，光吸收部分的光透射率小于绝缘体部分的光透射率。