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公开(公告)号：CN1155755A
公开(公告)日：1997-07-30
申请号：CN96121530.5
申请日：1996-12-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 阿闭忠司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/76256
Abstract: 一种SOI衬底的制造工艺有效地除去在多孔硅区上的非多孔硅区，并解决了玻璃衬底刻蚀时不可避免的问题和需要较厚的多孔硅区的问题。该工艺包括：使单晶硅衬底的表面层成为多孔以形成多孔单晶硅区；在多孔单晶硅区的表面上形成第二非多孔单晶硅区；将支撑衬底通过绝缘区键合到第二非多孔单晶硅区的表面；除去第一非多孔单晶硅区；以及除去多孔单晶硅区，其中除去第一非多孔单晶硅区包括进行干法刻蚀的步骤，在该干法刻蚀中非多孔单晶硅区的刻蚀速率大于多孔单晶硅区的刻蚀速率。
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