公开(公告)号：CN1532951A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410008584.3

申请日：2004-03-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩田益光 ,  远山上 ,  林享 ,  园田雄一 ,  西元智纪 ,  近藤隆治 ,  山田聪 ,  宫本祐介

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  C25D9/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C25D9/04 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种氧化锌膜的处理方法和使用它的光电元件的制造方法。其中，在含氧的氮气或不活泼气体的气氛中在150℃以上、400℃以下的温度下对从水溶液电化学析出的氧化锌膜进行加热处理，可以获得无损氧化锌膜的光透射率的电阻值低的氧化锌膜。

公开(公告)号：CN1519396A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410003956.3

申请日：1999-01-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宫本祐介

IPC: C25D9/08

CPC classification number: H01L31/076 ,  C25D9/08 ,  C25D17/12 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供了一种通过将导电基底元件和反电极浸渍在水溶液中并向所述导电基底元件和所述反电极之间施加电流而在所述导电基底元件上形成氧化锌薄膜的设备和方法，其中(a)反电极和基底元件之间的距离在反电极的端部保持在50mm或更大，而在反电极的中部为3mm至40mm，以及(b)反电极的端部相对于导电基底元件折叠成－1°至－90°的角。因此可以在长时间内以满意的产量在导电基底元件上形成具有满意质量的氧化锌薄膜，并且可以实现低成本和稳定地生产氧化锌薄膜。

公开(公告)号：CN1470078A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN01806023.4

申请日：2001-12-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 远山上 ,  园田雄一 ,  宫本祐介

IPC: H01L31/0224 ,  C23C16/40 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C23C14/086 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种用于太阳能电池的基片、具有以基片的太阳能电池及其生产工艺，其中基片包括具有金属表面的基础和在金属表面上形成的氧化锌膜，氧化锌膜的含水量为7.5×10－3mol/cm3或更少，优选为4.0×10－4mol/cm3或更多。由此串联电阻增加，防止产生分流，并且效率如Jsc和化学稳定性提高，因而，获得具有最佳总体特性的氧化锌膜的太阳能电池。

公开(公告)号：CN1110723A

公开(公告)日：1995-10-25

申请号：CN94120758.7

申请日：1994-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  近藤隆治 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/50 ,  C23C14/38

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种适合于辊对辊式或类似配置的等离子CVD方法，i-型半导体层形成前后加快基带温度变化率，以防止用等离子CVD法在基带上形成淀积薄的这种结构的退火而引起的杂质扩散，为对在i-型层放电室内移动的细长基带在放电室入口前的紧邻处按4℃/秒以上的速率加热，并在放电室出口后面立即按4℃/秒以上的速率冷却时，连续地形成了大面积的性能均匀一致的没有因扩散而造成特性变坏的迭层式光电器件。

公开(公告)号：CN1304183A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00137603.9

申请日：2000-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 园田雄一 ,  荒尾浩三 ,  远山上 ,  宫本祐介

IPC: H01L31/18 ,  C25D9/04 ,  C25D5/00

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  C25D5/028 ,  C25D5/48 ,  C25D7/0614 ,  C25D9/04 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/548

Abstract: 电沉积方法,包括步骤:在电沉积液中输送衬底并在衬底上形成膜,从衬底表面除去颗粒。和电沉积设备,包括装电沉积液用的电沉积槽,衬底放置其上并输送连续长度衬底用的输送机;还包括从连续长度衬底表面除去颗粒用的装置。用所提供的方法和设备能防止由电沉积液中的粉尘或从电极脱落的膜构成的颗粒造成的麻烦,例如能防止在淀积了膜的衬底在输送过程中出现碰撞印记,能形成高质量的电沉积膜。