公开(公告)号：CN101681828B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200980000140.6

申请日：2009-02-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 北林弘之 ,  片山浩二 ,  荒川聪

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于GaN的半导体层的步骤(S10)；在所述基于GaN的半导体层上形成Al膜的步骤(S20)；形成掩模层的步骤(S30、S40)，所述掩模层由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；使用所述掩模层作为掩模来部分除去所述Al膜和所述基于GaN的半导体层以形成脊部的步骤(S50)；使所述Al膜端部的侧壁位置从所述掩模层的侧壁位置后退的步骤(S60)；在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤(S70)，所述保护膜由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；以及除去所述Al膜以除去所述掩模层和在所述掩模层的上表面上形成的保护膜的步骤(S80)。

公开(公告)号：CN102046858A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119278.8

申请日：2009-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  宫永伦正 ,  谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。

公开(公告)号：CN101442030B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810177769.5

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。

公开(公告)号：CN102099510A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127950.8

申请日：2009-06-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章 ,  荒川聪 ,  山本喜之 ,  樱田隆

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向 方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。

公开(公告)号：CN101814699A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910178733.3

申请日：2009-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山浩二 ,  北林弘之 ,  荒川聪

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含GaN的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含GaN的半导体层上形成Al膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模层的步骤，该材料的蚀刻速率小于Al膜的材料的蚀刻速度；将掩模层用作掩模来形成隆起部的步骤；使Al膜的侧壁的位置相对于掩模层的侧壁的位置凹进的步骤；在隆起部的侧表面和掩模层的顶表面上形成由如下材料构成的保护膜的步骤，该材料的蚀刻速率小于形成Al膜的材料的蚀刻速率；以及去除Al膜并且从而去除掩模层和在掩模层的顶表面上形成的保护膜的部分的步骤。

公开(公告)号：CN101440520A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177773.1

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅(SiCl4)气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一III族氮化物半导体晶体。第一III族氮化物半导体晶体的生长速率为至少200μm/h且不大于2000μm/h。