公开(公告)号：CN102150271A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201080002563.4

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 一种MOSFET 1，包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅(SiC)衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在SiC衬底(2)的主表面上；和绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与半导体层(21)的表面接触。该MOSFET 1具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN102150270A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201080002562.X

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET 1。所述MOSFET 1包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在所述SiC衬底(2)的所述主表面上；以及绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与所述半导体层(21)的表面接触。当绝缘膜(26)具有的厚度不小于30nm且不大于46nm时，其阈值电压不大于2.3V。当绝缘膜(26)具有的厚度大于46nm且不大于100nm时，其阈值电压大于2.3V且不大于4.9V。

公开(公告)号：CN102725849B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080003308.1

申请日：2010-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  原田真

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件(1)，所述碳化硅半导体器件(1)包括半导体层(12)，其由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，所述沟槽(20)具有由以相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19)；以及绝缘膜(13)，其形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)。在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且所述半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与 方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了一种碳化硅半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN102652362B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180004823.6

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  穗永美纱子 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 提供了一种能够稳定地展示其性质并且具有高质量半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。半导体器件包括具有主表面的衬底（1）以及形成在衬底（1）的主表面上并且每一个均具有相对于主表面倾斜的侧表面的碳化硅层（2-5）。侧表面基本上包含面[03-3-8]。该侧表面包含沟槽区域。

公开(公告)号：CN102652361B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080055687.9

申请日：2010-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  原田真

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种碳化硅半导体器件（1,100），其包括：半导体层（12），该半导体层由碳化硅制成，并且具有相对于{0001}面以不小于50°且不大于65°的范围内的角倾斜的表面（12a）；和绝缘膜（13），形成为与半导体层（12）的表面（12a）相接触。在距半导体层（12）和绝缘膜（13）之间的界面10nm内的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且半导体器件具有在相对于与半导体层（12）的表面（12a）中的 方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了制造这种碳化硅半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102150271B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080002563.4

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 一种MOSFET？1，包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅(SiC)衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在SiC衬底(2)的主表面上；和绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与半导体层(21)的表面接触。该MOSFET？1具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN103548144A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023455.4

申请日：2012-05-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/7811

Abstract: 栅电极（50）包括：与栅极绝缘膜（41）接触的多晶硅膜（51）；设置在多晶硅膜（51）上的阻挡膜（52）；以及设置在阻挡膜（52）上且由高熔点金属构成的金属膜（53）。层间绝缘膜（42）被设置为覆盖栅极绝缘膜（41）以及设置在栅极绝缘膜（41）上的栅电极（50）。此外，层间绝缘膜（42）具有衬底接触孔（SH），通过衬底接触孔（SH）在与栅极绝缘膜（41）接触的区域中部分地暴露碳化硅衬底（30）。互连（71）经由衬底接触孔（SH）电连接碳化硅衬底（30），并且借助层间绝缘膜（42）与栅电极（50）电绝缘。

公开(公告)号：CN103503146A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021088.4

申请日：2012-02-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种MOSFET设置有：碳化硅衬底（11）；漂移层（12），其具有相对于{0001}面具有50°或更大且65°或更小的偏离角的主面（12A），并且该漂移层（12）由碳化硅制成；以及栅极氧化物膜（21），其形成在漂移层（12）的主面（12A）上并与该主面接触。漂移层（12）包括形成为包括接触栅极氧化物膜（21）的区域（14A）的p型体区（14）。p型体区（14）的杂质密度为5×1016cm-3或更大。在位于p型体区（14）和碳化硅衬底（11）之间的漂移层（12）中的区域中，通过彼此对准来形成具有p导电类型的多个p型区（13），所述p型区在垂直于漂移层（12）的厚度方向的方向上彼此隔开。

公开(公告)号：CN102859698A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201280001188.0

申请日：2012-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  日吉透

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种IGBT，包括：设置在碳化硅半导体层（3）中的沟槽（16），设置在碳化硅半导体层（3）中的第一导电类型的体区（4）；和至少覆盖沟槽（16）的侧壁表面（16a）的绝缘膜（91），沟槽（16）的侧壁表面（16a）是相对于{0001}面具有50°或更大65°或更小的偏离角的表面，沟槽（16）的侧壁表面（16a）包括体区（4）的表面，绝缘膜（91）与至少沟槽（16）的侧壁表面（16a）上的体区（4）的表面接触，并且体区（4）中的第一导电类型杂质浓度为5×1016cm-3或更大。

公开(公告)号：CN102484075A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039807.6

申请日：2010-08-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 穗永美纱子 ,  增田健良 ,  原田真

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种制造半导体器件(1)的方法。所述方法包括下列步骤：在SiC衬底上形成包括SiC的半导体层，在该半导体层上形成膜，以及在该膜中形成沟槽(2)。半导体器件(1)配备有芯片(10)，其具有在其上形成的层间绝缘膜。半导体器件的特征在于沟槽(2)被形成在所述层间绝缘膜(17)上，以横跨所述芯片(10)。