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公开(公告)号：CN113451887A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110296066.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
Abstract: 一种量子级联激光器，具备：第一台面波导，设置在基板上，包含第一芯层；第二台面波导，设置在基板上，包含第二芯层；第一电极，与第一台面波导电连接；及第二电极，与第二台面波导电连接。第一台面波导及第二台面波导沿第一方向延伸，并在与第一方向交叉的第二方向上相互分离。第一电极与第二电极之间的距离大于第一台面波导与第二台面波导之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451886A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110295403.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
Abstract: 一种量子级联激光器，具备：包含第一芯层的第一台面波导；包含第二芯层的第二台面波导；与第一台面波导电连接的第一电极；与第二台面波导电连接的第二电极；及将第一台面波导及第二台面波导埋入的电流阻挡区域。第一台面波导及第二台面波导沿第一方向延伸，并在与第一方向交叉的第二方向上相互分离。电流阻挡区域具有配置在第一台面波导与第二台面波导之间的第一部分和设置在第一部分上的第二部分。第一电极及第二电极分别具有在第二方向上彼此相对的端部。第二部分以超出基准面的方式突出，所述基准面包含第一电极的端部的表面且在第一方向及第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN112787218A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011208785.3
申请日：2020-11-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器，其具备：激光器结构体，具有在第1方向上射出激光的出射面；以及反射膜，设置于所述出射面上，所述激光器结构体具备芯层，所述出射面包括所述芯层的端面，所述端面包括第1区域和与所述第1区域不同的第2区域，所述反射膜覆盖所述第1区域，且未覆盖所述第2区域。
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公开(公告)号：CN111009821A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910933613.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
IPC: H01S5/028
Abstract: 一种量子级联激光器，包括：激光器结构，具有包括第一端面的第一区域、包括第二端面的第二区域、外延表面和衬底表面；绝缘膜，被布置在第二端面和外延表面上；电极，被布置在外延表面和绝缘膜上并与外延表面接触；以及金属膜，被布置在第二端面和外延表面上并与电极和衬底表面分离。绝缘膜被布置在金属膜和第二端面之间以及金属膜和外延表面之间。第二区域包括半导体台面。第二端面位于第一区域和第二区域之间的边界处。第一区域包括连接表面。连接表面将第二端面连接到第一端面。
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公开(公告)号：CN109119892A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810642296.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
Abstract: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面和背表面；半导体层压件，所述半导体层压件具有层压件端面，层压件端面和衬底端面沿着与和第一方向交叉的第二方向交叉的参考平面延伸；第一电极，所述第一电极被设置在半导体层压件上，半导体层压件被设置在第一电极与半导体衬底之间；第二电极，所述第二电极被设置在背表面上；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜被设置在层压件端面、衬底端面和第一电极上；金属膜，所述金属膜被设置在第一绝缘膜及层压件端面、衬底端面和第一电极上；以及第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被设置在第二电极上且在衬底端面上，金属膜被设置在第一绝缘膜与第二绝缘膜之间。
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公开(公告)号：CN109119889A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810642321.X
申请日：2018-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 桥本顺一
Abstract: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：半导体器件部，所述半导体器件部具有衬底、半导体层压件和半导体绝缘部，半导体层压件具有主表面，衬底具有背表面和衬底端面，半导体层压件具有层压件端面，半导体绝缘部和衬底被设置为沿着与第二方向交叉的参考平面，半导体器件部具有前端面和后端面，前端面和后端面被布置在第二方向上，后端面包括衬底端面，并且衬底端面沿着参考平面延伸；第一电极，所述第一电极被设置在半导体层压件上；以及金属膜，所述金属膜被设置在后端面、半导体绝缘部和第二电极上，金属膜远离第一电极。
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