公开(公告)号：CN108495957A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780007967.4

申请日：2017-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  樱田隆 ,  高须贺英良 ,  上田俊策 ,  佐佐木将 ,  梶直树 ,  三岛英彦 ,  江口宽航

IPC: C30B29/36 ,  G01N23/207

CPC classification number: C30B29/36 ,  G01N23/207

Abstract: 在检测器6配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[-1100]方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

公开(公告)号：CN105917034A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073219.2

申请日：2014-11-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法能够容易地将碳化硅单晶与基座分离。所述方法包括如下步骤：将籽晶衬底和基座在其间具有应力缓冲层的情况下固定的步骤(S10)；在所述籽晶衬底上生长碳化硅单晶的步骤(S20)；在所述应力缓冲层处将所述碳化硅单晶与所述基座分离的步骤(S30)；以及将所述分离步骤(S30)后的碳化硅单晶上附着的所述应力缓冲层的残余物除去的步骤(S40)。

公开(公告)号：CN105239157A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510381268.9

申请日：2015-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B23/06

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B35/002 ,  F27B14/10 ,  F27B2014/102 ,  F27B2014/104

Abstract: 本发明涉及一种坩埚和制造单晶体的方法。所述坩埚具有底部和筒状的侧表面。坩埚包括第三区域、从第三区域延伸的第二区域和从第二区域延伸的第一区域。坩埚包括位于侧表面内侧的第一壁和第二壁。第一壁与侧表面之间形成有第一室，第二壁与侧表面之间形成有第二室。第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的或随其接近底部而增加。第二壁上的水平对向部分之间的距离随着其接近底部而增加。第一壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(α)小于第二壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(β)。倾斜角(α)为30度或更小。倾斜角(β)为70度或更小。倾斜角(β)与倾斜角(α)之间的差为50度或更小。