公开(公告)号：CN114207783B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202080054520.4

申请日：2020-07-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 堀切文正 ,  福原昇

IPC: H01L21/3063

Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：对至少表面由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻的工序；以及，对实施了第一蚀刻的表面实施第二蚀刻的工序，在实施第一蚀刻的工序中，在表面形成因被蚀刻而新出现的平坦部和因与平坦部相比难以被蚀刻而产生的、相对于平坦部隆起的凸部，在实施第二蚀刻的工序中，通过蚀刻凸部而使凸部变低。

公开(公告)号：CN114207783A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080054520.4

申请日：2020-07-06

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 堀切文正 ,  福原昇

IPC: H01L21/3063

Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：对至少表面由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻的工序；以及，对实施了第一蚀刻的表面实施第二蚀刻的工序，在实施第一蚀刻的工序中，在表面形成因被蚀刻而新出现的平坦部和因与平坦部相比难以被蚀刻而产生的、相对于平坦部隆起的凸部，在实施第二蚀刻的工序中，通过蚀刻凸部而使凸部变低。

公开(公告)号：CN113948384A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110795314.5

申请日：2021-07-14

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 堀切文正 ,  福原昇

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/335 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及氮化物系高电子迁移率晶体管的制造方法和氮化物系高电子迁移率晶体管。提供一种用于制造氮化物系高电子迁移率晶体管的PEC蚀刻技术。氮化物系高电子迁移率晶体管的制造方法具有如下工序：在基板上的俯视下为元件区域之外的区域设置导电性构件的工序；在基板上形成掩膜的工序，所述掩模在源凹部被蚀刻区域和漏凹部被蚀刻区域中的至少一者具有开口；通过在使设置有导电性构件且形成有掩膜的基板与蚀刻液接触的状态下对基板照射光，从而进行光电化学蚀刻，形成源凹部和漏凹部中的至少一者的工序，所述蚀刻液包含接收电子的氧化剂；以及，形成元件分离结构的工序。

公开(公告)号：CN113728418A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080030627.5

申请日：2020-03-13

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 堀切文正 ,  福原昇

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/764 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备：蚀刻对象物，其具有由导电性的III族氮化物构成的被蚀刻面，在被蚀刻面上配置有被蚀刻区域；导电性构件，其以与蚀刻对象物的同被蚀刻区域电连接的导电性区域的至少一部分表面接触的方式设置；以及，掩膜，其在被蚀刻面上形成，由非导电性材料构成；以及，在处理对象物浸渍于包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液中，且被蚀刻区域和导电性构件与蚀刻液接触的状态下，隔着蚀刻液对被蚀刻面照射光，由此对构成被蚀刻区域的III族氮化物进行蚀刻的工序，划定被蚀刻区域的边缘不包括导电性构件的边缘，由掩膜的边缘构成。