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公开(公告)号：CN110024083A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073938.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/42 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 提供半导体衬底，其具有硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层，硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层的位置以硅衬底、反应抑制层、应力产生层、活性层的顺序配置，其中，反应抑制层为抑制硅原子与III族原子的反应的氮化物晶体层，应力产生层为产生压缩应力的氮化物晶体层，活性层为电子元件得以形成的氮化物晶体层，在硅衬底与反应抑制层之间，还具有以硅原子、铝原子及氮原子作为主构成原子的SiAlN层。
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