公开(公告)号：CN101809058A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880108623.3

申请日：2008-09-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小熊润 ,  小广健司

IPC: C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C09D11/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0054 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/92 ,  C09D5/24 ,  C09D11/106 ,  C09D11/30 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的目的在于提供当用于有机晶体管时能得到高电荷迁移率的高分子化合物。优选实施方式的高分子化合物具有下述通式(1)所示的重复单元。[式中，R1表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、取代甲硅烷基、取代羧基、1价杂环基、氰基或氟原子，1为2～8的整数。另外，多个R1可以分别相同或不同。]

公开(公告)号：CN100576449C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200480033046.8

申请日：2004-11-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小广健司 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02461 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法，其包括如下所述工序，即：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上，在V/III比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h的条件下，通过外延成长，而形成InGaAs层。