半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN105940511B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201580005558.1

    申请日:2015-01-20

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法,其中,所述半导体发光装置包含基板、元件和密封材料作为构成构件,该制造方法包括:第一工序,在基板上设置元件;第二工序,以覆盖元件的方式在基板上灌封固化前的密封材料;和第三工序,以下述方式使所灌封的密封材料固化,即,在将固化后的厚度t[mm]的密封材料所具有的380nm、316nm及260nm各波长下的吸光度分别设为AbsA(t)、AbsB(t)及AbsC(t)并且将380nm下的光的透射率设为T(t)时,满足下述式(1)、(2)及(3)的全部。(1)T(1.7)≥90% (2)AbsB(t)-AbsA(t)<0.011t (3)AbsC(t)-AbsA(t)<0.125t。

    聚酰亚胺系树脂及其制造方法

    公开(公告)号:CN113227205B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN201980085776.9

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本发明提供能形成耐弯曲性优异的膜的聚酰亚胺系树脂及其制造方法。聚酰亚胺系树脂的重均分子量为150,000以上,并且重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)之比即分子量分布(Mw/Mn)为3.0以下。另外,聚酰亚胺系树脂可以通过下述制造方法得到,所述制造方法包括:工序(I),得到中间体(K),所述工序(I)包含使二胺化合物与具有3个以上羰基的羧酸化合物反应的步骤(A);以及工序(II),使中间体(K)分解,工序(II)包含满足式(1)的部分。dv/dt<0(1)。

    电子部件和其制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113853690A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202080035263.X

    申请日:2020-05-08

    Abstract: 本发明提供一种氟树脂密封构件的耐热变形性良好的电子部件的制造方法。通过具有将安装于布线基材的电子元件用氟树脂覆盖的工序以及对覆盖了电子元件的上述氟树脂照射放射线的工序的方法来制造电子部件。上述氟树脂优选为四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。上述放射线优选为电子束。上述电子束的加速电压优选为50kV以上。上述电子束的照射能量优选以吸收线量计为20kGy以上。

    聚酰亚胺系树脂及其制造方法

    公开(公告)号:CN113227205A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201980085776.9

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本发明提供能形成耐弯曲性优异的膜的聚酰亚胺系树脂及其制造方法。聚酰亚胺系树脂的重均分子量为150,000以上,并且重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)之比即分子量分布(Mw/Mn)为3.0以下。另外,聚酰亚胺系树脂可以通过下述制造方法得到,所述制造方法包括:工序(I),得到中间体(K),所述工序(I)包含使二胺化合物与具有3个以上羰基的羧酸化合物反应的步骤(A);以及工序(II),使中间体(K)分解,工序(II)包含满足式(1)的部分。dv/dt<0 (1)。

    半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106575694B

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201580040447.4

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法,其包括:在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序;该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量%以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂;该热固化在如下的条件下进行,即,在将热固化前的该硅酮树脂的1000~1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950~1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时,满足5<a‑b<20。

    硅酮系密封材料组合物及半导体发光装置

    公开(公告)号:CN106661425B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201580039479.2

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 本发明提供一种硅酮系密封材料组合物,其包含(A)二官能热固性硅酮树脂、(B)具有羟基的多官能热固性硅酮树脂、以及(C)固化催化剂,(A)成分的重均分子量为300~4500,相对于(A)成分的质量及(B)成分的质量的合计,(B)成分的质量比例为0.5质量%以上且小于100质量%,(B)成分的平均官能数为2.5~3.5,并且构成(B)成分的重复单元相对于(B)成分的总质量而言50质量%以上为三官能型,在光程长度1cm、并且波长600nm时测定出的可见光透射率为70%以上。

    半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106575694A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580040447.4

    申请日:2015-07-27

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法,其包括:在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序;该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量%以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂;该热固化在如下的条件下进行,即,在将热固化前的该硅酮树脂的1000~1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950~1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时,满足5<a‑b<20。

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