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公开(公告)号：CN118969854A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411006186.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 提供了一种金属氧化物膜层，其包括：第一势垒层；势阱层，其位于第一势垒层的一侧；和第二势垒层，其位于势阱层的远离第一势垒层的一侧，其中，第一势垒层、势阱层、第二势垒层的材料均为金属氧化物，势阱层的导带能级小于第一势垒层的导带能级，并且小于第二势垒层的导带能级。金属氧化物膜层还包括功能层，其中，功能层位于势阱层的远离第一势垒层的一侧，功能层的材料选自镨或钽的氧化物；或者金属氧化物膜层不包括功能层，势阱层的材料包括镨或钽元素。
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公开(公告)号：CN117580392A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311055875.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/131 , H10K59/80 , H10K59/12 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括：衬底；设置在所述衬底上的多个晶体管；所述晶体管包括有源层、第一极、第二极、第一绝缘层、栅极；所述第一绝缘层位于所述有源层背离所述衬底的一侧，所述栅极位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧；设置在所述衬底上的相互交叉且异层设置的多条栅线和多条数据线，所述数据线位于所述有源层靠近所述衬底的一侧；所述阵列基板还包括第一辅助电极，所述第一辅助电极将所述晶体管的所述第一极与所述数据线连接，所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影与所述数据线在所述衬底上的正投影交叠，所述第一辅助电极覆盖所述有源层的所述第一极靠近所述数据线的侧表面。
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公开(公告)号：CN115000157A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210693368.5
申请日：2022-06-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
Abstract: 本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法，其中，薄膜晶体管包括：衬底；第一极，设置于衬底的一侧；第一金属氧化物层，设置于第一极的背离衬底的一侧；有源层，设置于第一金属氧化物层的背离衬底的一侧，有源层包括沟道区和位于沟道区两端的漏区和源区，漏区与第一金属氧化物层接触；栅极，设置于有源层的背离衬底的一侧，且栅极在衬底上的正投影区域与沟道区在衬底上的正投影区域对应；第二极，设置于有源层的背离衬底的一侧，且第二极与源区接触。本申请实施例的技术方案可以避免在过刻蚀的过程中露出第一极中的底层金属，从而避免第一极的表面氧化，实现有源层与第一极的良好搭接。
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公开(公告)号：CN113053447A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110280954.2
申请日：2021-03-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G11C19/28 , G09G3/3266 , G09G3/36
Abstract: 本公开提供了一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置，属于显示技术领域。该移位寄存器单元包括：输入电路、补偿控制电路和输出电路。该输入电路能够在输入信号端提供的输入信号的控制下，控制第一节点的电位，且能够在输入信号和输入控制端提供的输入控制信号的控制下，控制参考节点的电位。该补偿控制电路能够在第一时钟信号端提供的第一时钟信号的控制下，基于参考节点的电位调节第一节点的电位。如此，即提高了对第一节点进行控制的灵活性。进而，可以使得输出电路在第一节点的控制下，向耦接栅线的输出端灵活输出驱动信号。
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公开(公告)号：CN115274712B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202210975633.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L27/15 , H10K59/12 , H10K59/131 , H01L21/77
Abstract: 一种显示背板及其制备方法、显示装置。显示背板包括基底，基底划分为像素区和透光区，显示背板包括：位于像素区的驱动结构层，设置在基底上，包括第一类晶体管和第二类晶体管；位于像素区和透光区的第一隔离层，设置在驱动结构层远离基底的一侧，第一隔离层在基底上的正投影包含第二类晶体管在基底上的正投影、且和第一类晶体管在基底上的正投影至少部分交叠；位于像素区的导电图案层，设置在第一隔离层远离基底的一侧；位于像素区的第二隔离层，设置在导电图案层远离基底的一侧，第二隔离层在基底上的正投影包含第二类晶体管和第一类晶体管在基底上的正投影；第一隔离层和第二隔离层的材料包括有机硅氧烷材料，且远离基底一侧的表面为平面。
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公开(公告)号：CN118825029A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310429430.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种显示基板、显示面板及显示装置，显示基板包括衬底基板、位于衬底基板之上的第一薄膜晶体管和位于第一薄膜晶体管背离衬底基板一侧的光敏器件。其中第一薄膜晶体管采用第一氧化物半导体层作为有源层，第一氧化物半导体层包括一导体化区、第二导体化区，以及位于第一导体化区和第二导体化区之间的第一沟道区。第一导体化区与第一数据线电连接，第二导体化区与光敏器件电连接，避免了源漏金属层的镀膜和开孔工艺，减少了显示基板的膜层数量，简化了显示基板的结构，大大地降低了制作难度。
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公开(公告)号：CN118738058A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310318698.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种显示背板及其制备方法、虚拟显示装置，显示背板包括：衬底；第一电极，设置在所述衬底的一侧；绝缘层，设置在所述第一电极远离所述衬底一侧；第一过孔，贯穿所述绝缘层，所述第一过孔延伸至所述第一电极的表面，所述第一过孔包括侧壁；第二电极，设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述第一过孔的一侧，所述第二电极侧壁的至少部分与所述第一过孔的部分侧壁位于同一平面。
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公开(公告)号：CN118366998A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310082921.6
申请日：2023-01-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L25/075
Abstract: 本公开提供一种显示背板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的显示背板中的薄膜晶体管占用面积较大，影响像素密度的问题。本公开的显示背板包括：基底、位于基底上级联的多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括：位于基底上的半导体层和金属层；金属层包括：第一子金属层和第二子金属层；半导体层包括：第一导体部和第二导体部、及位于第一导体部和第二导体部之间的沟道部；第一子金属层和第二子金属层分别与第一导体部和第二导体部搭接；第一子金属层和第二子金属层中的至少一者用作级联信号线。
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公开(公告)号：CN117596946A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311630892.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/80 , H10K59/38 , H10K71/00
Abstract: 一种显示面板及其制备方法和显示装置。显示面板包括驱动基板、位于驱动基板一侧的像素界定层和发光元件，发光元件包括第一电极、发光功能层和第二电极，第一电极、发光功能层和第二电极依次远离驱动基板叠置；像素界定层中开设有第一开口，发光元件位于第一开口中；像素界定层中还开设有第二开口，第二开口在驱动基板上的正投影围绕于第一开口在驱动基板上的正投影外围，第二电极还延伸至第二开口中；驱动基板包括基底和反射结构，反射结构位于基底的靠近像素界定层的一侧，反射结构在基底上的正投影围绕于第一开口在基底上的正投影外围，且反射结构和第二开口在基底上的正投影至少部分交叠；反射结构能将发光元件发出的光线向其围绕区域内反射。
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公开(公告)号：CN117293160A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210693304.5
申请日：2022-06-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
Abstract: 本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法，其中，薄膜晶体管包括：衬底；有源层，设置于衬底的一侧，有源层包括沟道区、源区、漏区和两个过渡区，源区和漏区分别位于沟道区的两端，两个过渡区中的其中一个位于沟道区与源区之间，两个过渡区中的另一个位于沟道区与漏区之间，沟道区的载流子浓度为C1，各过渡区的载流子浓度为C2，源区和漏区的载流子浓度为C3，其中，C1≤C2＜C3；栅极，设置于有源层的背离衬底的一侧，栅极在衬底上的正投影与沟道区在衬底上的正投影重叠；源漏层，包括源极和漏极，源极与源区接触，漏极与漏区接触。本申请实施例的技术方案可以增大沟道的实际有效长度，避免薄膜晶体管产生阈值电压负偏。
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