公开(公告)号：CN110178206A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780081811.0

申请日：2017-12-29

Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 维贾伊·苏尔拉 ,  拉胡尔·古普塔 ,  孙卉 ,  文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 ,  南森·斯塔福德 ,  法布里齐奥·马切吉亚尼 ,  文森特·M·欧马杰 ,  詹姆斯·罗耶

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L27/11582

Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1-3，x＝0-6，y＝1-7，z＝1-2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。

公开(公告)号：CN107924842A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048436.5

申请日：2016-08-30

Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 维贾伊·苏尔拉 ,  拉胡尔·古普塔 ,  文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆

IPC: H01L21/311 ,  C07C251/08 ,  C07C251/26 ,  C07C255/10

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C07C251/08 ,  C07C251/26 ,  C07C255/10 ,  H01L21/31144

Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含氮蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含氮蚀刻化合物是含有至少一个C≡N或C＝N官能团的有机氟化合物；将惰性气体引入该反应腔室中；并且活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含氮蚀刻化合物。

公开(公告)号：CN107002236A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580050013.2

申请日：2015-09-23

Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 克洛迪娅·法法尔德 ,  文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 ,  让-马克·吉拉尔

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/30 ,  C23C16/24 ,  C23C16/40 ,  C07F7/10 ,  C07F7/08 ,  C07F7/02

CPC classification number: C07F7/10 ,  C07F7/02 ,  C07F7/08 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532

Abstract: 披露了包含碳硅烷取代的胺前体的含Si膜形成组合物。该碳硅烷取代的胺前体具有式(R1)aN(‑SiHR2‑CH2‑SiH2R3)3‑a，其中a＝0或1；R1是H、C1至C6烷基、或卤素；R2和R3各自独立地是H；卤素；具有式OR’的烷氧基，其中R’是烷基(C1至C6)；或具有式NR”2的烷基氨基，其中每个R”独立地是H、C1‑C6烷基、C1‑C6烯基、或C3‑C10芳基或杂环基。还披露了合成该碳硅烷取代的胺前体的方法及它们用于沉积工艺的用途。