一种资源分配方法、装置、存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN115729714A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202310019276.3

    申请日:2023-01-06

    Abstract: 本说明书公开了一种资源分配方法、装置、存储介质及电子设备,本说明书实施例先获取部署在设备中的各功能体的参数,并基于各功能体的参数,构建进行资源分配的仿真环境并运行。在仿真环境中,模拟各功能体为执行目标任务所分配的系统资源,并确定按照各自分配的系统资源执行目标任务时产生的奖励值,以奖励值最大化为目标,调整各功能体为执行目标任务所分配的系统资源,得到目标资源分配方式。按照目标资源分配方式,通过设备执行实际的目标任务。此方法中,在实际执行目标任务之前,通过仿真环境,确定出各功能体在执行目标任务时分配的系统资源的分配方式,以采用合理的系统资源执行目标任务,既节省系统资源又能保证执行目标任务的执行效率。

    光栅耦合器及其制备方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116859521B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311107119.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请提供一种光栅耦合器及其制备方法。该光栅耦合器包括硅基衬底、形成于硅基衬底上的第一反射层、形成于第一反射层上的下埋层、形成于下埋层上的波导层、形成于波导层上的上包层、以及形成于上包层上的第二反射层,波导层包括多个二维光栅,多个二维光栅沿着光路传播路径方向设置。其中,沿着光路传播路径方向,从一个二维光栅进入的入射光中的部分光透过该二维光栅后会在第一反射层和第二反射层的反射作用下进入到下一个二维光栅。本申请能够同时兼顾对偏振的不敏感性以及高耦合效率。

    偏振无关的模斑转换器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116931172A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311199267.3

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本申请涉及一种偏振无关的模斑转换器,该模斑转换器包括:上层波导和下层波导,上层波导设置于下层波导的上方,上层波导和下层波导之间设有绝缘层;在上层波导和下层波导上下重叠的部分处,上层波导设置至少两段波导;下层波导设置至少两段与上层波导对应的波导;其中,一段波导的参数基于第一模式光而设置,另一段波导的参数基于第二模式光而设置。采用上述结构的模斑转换器能够将不同模式的光分别耦合,使模斑转换器具备偏振无关特性,改善模场失配问题。

    芯片堆叠结构的焊接方法及芯片堆叠结构

    公开(公告)号:CN116844981A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310917971.1

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本申请提供一种芯片堆叠结构的焊接方法及芯片堆叠结构。其中,该芯片堆叠结构的焊接方法包括:在芯片的一侧形成第一焊球;令芯片靠近第一焊球的一侧倒装焊接于转接板上;令转接板远离芯片的一侧通过第二焊球倒装焊接于驱动板上;其中,第二焊球包括支撑核以及包覆支撑核的导电支撑壳,支撑核的熔点远大于导电支撑壳和第一焊球的熔点,导电支撑壳的熔点小于第一焊球的熔点。可实现,当导电支撑壳熔化以焊接固定转接板和驱动板之间的同时,可保证支撑核不被熔化以实现对转接板、芯片的有效支撑,避免第二焊球坍塌导致芯片焊盘短路从而影响芯片寿命和封装体系的可靠性。另外该方法可保证后续步骤中的操作不影响前续步骤,可提高焊接的可靠性。

    端面耦合器及光芯片系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116643350A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310931892.6

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请涉及一种端面耦合器及光芯片系统。其中,端面耦合器包括:耦合波导。所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合。所述耦合波导包括至少两段耦合段。随着所述耦合波导的延伸,所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小。随着所述耦合波导的延伸,所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向。沿所述第一方向,所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同。所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致。根据本申请实施例,可以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。

    一种硅基芯片封装的方法、装置、存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN115857187A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211537974.4

    申请日:2022-12-01

    Abstract: 本说明书公开了一种硅基芯片封装的方法、装置、存储介质及电子设备。首先,获取硅基芯片中的光栅与光纤阵列在耦合过程中的图像数据。其次,根据图像数据,对光纤阵列的姿态进行调整,以使得调整后的光纤阵列在预设坐标系下与硅基芯片相平行。而后,将光信号输入到硅基芯片中的光栅,并平移调整姿态后的光纤阵列,以检测光信号从硅基芯片中的光栅输入到平移后的光纤阵列后,平移后的光纤阵列输出的光信号对应的光功率。最后,若确定光功率满足预设条件,则硅基芯片中的光栅与光纤阵列完成耦合,得到耦合后的硅基芯片,并将耦合后的硅基芯片通过封装设备进行封装。本方法可以提高光纤阵列与硅基芯片中的光栅耦合的效率。

    一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法

    公开(公告)号:CN115826134A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211627632.1

    申请日:2022-12-16

    Abstract: 本说明书公开了一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法。首先,层间耦合器包括:硅衬底、二氧化硅包层、硅波导层、氮化硅层。硅长方体位于层间耦合器的一端,混合结构与硅长方体相连接,混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成,亚波长光栅结构与混合结构相连接,亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成,且远离硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近硅长方体的硅波导块的尺寸,氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构,氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端,氮化硅结构与氮化硅长方体相连接,氮化硅结构中的远离氮化硅长方体的横截面积小于靠近氮化硅长方体的横截面积。本方法可以降低功率泄露,从而,提高耦合效率。

    一种偏振分离端面耦合器及其线形设计方法

    公开(公告)号:CN117724206A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311719036.0

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明提出了一种偏振分离端面耦合器及其线形设计方法,该耦合器包括底层硅衬底,氧化硅下掩埋层,波导结构和上包层。波导结构由位于同一水平面的两组波导构成,其中一组波导有两种厚度,分别用来与光纤进行耦合并传输横电模(TE)模式的光信号,另一组波导厚度恒定,用来和前一组波导进行耦合并传输横磁模(TM)模式的光信号,基于这种平面波导耦合结构,提出了一种波导线形的设计方法,针对不同波长进行耦合波导线形的优化设计实现了光纤到光芯片光场的高效、大带宽的模场耦合和偏振分离功能。

    端面耦合器及其制备方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116413856B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202310689847.4

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本申请提供一种端面耦合器及其制备方法。该端面耦合器包括超透镜、微反射镜及端面耦合器波导,超透镜用于对从光纤中传输的入射光进行相位调控以将入射光汇聚到微反射镜的表面,微反射镜用于将汇聚到表面的光进行转向并反射至端面耦合器波导的入射端面以实现模斑转换。本申请能够解决光芯片中光纤和芯片波导的模场失配问题。

    模斑转换器的设计方法
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116643354B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202310931917.2

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请提供一种模斑转换器的设计方法。该设计方法包括:构建模斑转换器的轮廓函数;基于模斑转换器的轮廓函数来建立模斑转换器的模型;在模斑转换器的第一侧和第二侧分别连接输入波导和输出波导,其中,输入波导的宽度大于输出波导的宽度;在输入波导处设有模式光源,用于发出预定输入功率的光;在输出波导处设有功率监视器,用于监测输出波导的输出功率;以模斑转换器的传输效率为优化目标,通过仿真优化方法来对轮廓函数中的各项参数不断地进行迭代优化以最终得到各项参数的最优解,模斑转换器的传输效率等于输出功率与输入功率的比值;及将得到的各项参数的最优解代入到轮廓函数中以设计得到模斑转换器。因此可缩短模斑转换器的长度。

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