公开(公告)号：CN111133133A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061909.4

申请日：2018-09-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田州吾 ,  本田善央 ,  永松谦太郎 ,  天野浩 ,  藤元直树

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。