公开(公告)号：CN1274008C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN01809479.1

申请日：2001-02-23

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 蓝宝石衬底(1)蚀刻成10μm宽、10μm间隔、且10μm深的条带图案。厚度大约为40nm的AlN缓冲层(2)主要形成在衬底(1)上台阶的顶面和底面上。GaN层(3)通过垂直和水平外延生长形成。从而，台阶由台阶顶面上水平外延生长的缓冲层(21)覆盖，因此，该表面变得平坦。在GaN层(3)的在台阶底部之上的部分中的线位错与其在台阶顶部之上的部分相比被明显抑制。

公开(公告)号：CN1213462C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01809470.8

申请日：2001-03-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  山下弘 ,  永井诚二 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0265 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。

公开(公告)号：CN1189920C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN00817714.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  小岛彰 ,  平松敏夫 ,  手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。

公开(公告)号：CN1413358A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817714.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  小岛彰 ,  平松敏夫 ,  手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。