公开(公告)号：CN109786583A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910178327.0

申请日：2019-03-11

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韦一 ,  柏沁园 ,  唐莹 ,  彭应全 ,  王玉龙 ,  杨媚

IPC: H01L51/52 ,  H01L25/16 ,  G01P5/26

Abstract: 本专利是一种基于OLED的液体流速光电传感器，所述的光电传感器包括CMOS电路基底、两个OLED发光单元、六个光电二极管、封装层。所述的OLED发光单元，在阳极上制作一层Si-SiO2光栅，用来增强OLED的光输出效率，提高传感器的灵敏度。将OLED和光电二极管与CMOS工艺结合，有利于光电传感器简化制作流程、降低成本、提高测量性能。

公开(公告)号：CN212569097U

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202022029958.7

申请日：2020-09-16

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 柏沁园 ,  韦一 ,  唐莹 ,  王玉龙

IPC: G01R33/10 ,  G01R33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层作为声波反射层；当磁场发生变化，上电极发生磁致伸缩效应，引起电极发生形变，从而改变谐振频率，以此来测量磁场强度；本实用新型中磁场传感器的尺寸小，制造成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利