一种E形全介质超表面电磁诱导透明谐振装置

    公开(公告)号:CN107579328B

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201710886792.0

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种E形全介质超表面电磁诱导透明谐振装置,包括基底和位于基底表面的呈二维周期性分布的E形介质谐振单元,基底由介质材料制作,基底的介电常数大于0且小于等于5;E形介质谐振单元的介电常数大于等于6。本发明可以提高群折射率,实现慢光效应。同时,本发明可以用于高灵敏度的折射率的传感器件中。

    一种基于对称结构的全介质超材料超高Q导模谐振器

    公开(公告)号:CN120073270A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510213249.9

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于对称结构的全介质超材料超高Q导模谐振器。该谐振器由二维周期性分布的类“回”形介质谐振单元构成,每个单元包含左竖部、右竖部、上横部和下横部,竖部与横部相互垂直且间距可调。通过调整上、下横部的间距,在保持结构对称性的前提下,实现超高Q值谐振。当太赫兹波垂直入射且电场偏振方向与横部长方体介质条垂直时,减小横部间距可显著提升Q值。本发明在保持结构对称性的条件下也会极易出现超高Q值,而且结构简单、加工容差高,无需界面结合或复杂不对称设计,适用于太赫兹波段的高灵敏度传感器、窄带滤波器及非线性光学器件。

    一种全介质双层超材料类电磁诱导透明装置

    公开(公告)号:CN114552225A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210184272.6

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种全介质双层超材料类电磁诱导透明装置,包括基底,以及分别位于基底两侧表面的圆柱体介质块和长方体介质棒。本发明装置以长方体介质棒的宽度方向为x方向,以长方体介质棒的长度方向为y方向,以长方体介质棒的高度方向为z方向。圆柱体介质块呈x方向和y方向的二维周期性分布,长方体介质棒呈x方向的一维周期性分布,且与圆柱体介质块在x方向的周期大小相等。本发明装置沿x方向的周期为Px,沿y方向的周期为Py。本发明首次利用一维超材料和二维超材料组成的全介质双层超材料实现类电磁诱导透明效应。同时能够实现对类电磁诱导透明效应的品质因子的调节。此外,本发明具有鲁棒性,类电磁诱导透明响应特性对双层超材料结构之间的横向相对位置变化不敏感,该优点将有利于器件加工和工程应用。

    一种金属-介质混合双层超材料类电磁诱导透明装置

    公开(公告)号:CN114267955A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202110867425.2

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明公开了一种金属‑介质混合双层超材料类电磁诱导透明装置,包括基底,以及分别位于基底两侧表面的金属线和长方体介质棒。本发明装置以长方体介质棒的宽度方向为x方向,以长方体介质棒的长度方向为y方向,以长方体介质棒的高度方向为z方向。金属线呈x方向和y方向的二维周期性分布,长方体介质棒呈x方向的一维周期性分布,且与金属线在x方向的周期大小相等。本发明装置沿x方向的周期为Px,沿y方向的周期为Py。本发明首次利用一维介质超材料和二维金属超材料组成的双层超材料实现类电磁诱导透明效应。同时能够实现对类电磁诱导透明效应的品质因子的调节。此外,本发明具有鲁棒性,类电磁诱导透明响应特性对双层超材料结构之间的横向相对位置变化不敏感,该优点将有利于器件加工和工程应用。

    一种全介质超材料类EIT谐振装置

    公开(公告)号:CN106887665B

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201710207456.9

    申请日:2017-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种全介质超材料类EIT谐振装置,包括平板波导和二维周期性介质谐振器,所述平板波导包括第一介质层,所述二维周期性介质谐振器由置于第一介质层的上表面且呈二维周期性分布的长方体介质条构成,所述长方体介质条的折射率大于所述第一介质层的折射率。二维周期性介质谐振器本身具有谐振特性,根据Mie谐振原理可以产生一系列的Mie谐振。另外,二维周期性介质谐振器又具有类光栅作用,可使入射波发生衍射并与平板波导导模耦合。通过操控Mie谐振和导模谐振的相互作用,可以产生类EIT效应。使用本发明所述的全介质超材料类EIT谐振装置,可以实现高品质因子谐振和高谐振强度,从而得到高的群折射率。

    一种基于液晶光阀的图形化紫外激光发生装置

    公开(公告)号:CN110224289B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201910627646.5

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于液晶光阀的图形化紫外激光发生装置,包括按照下列顺序依次同轴排列的激光器、扩束镜、液晶光阀、聚焦透镜、倍频晶体、准直透镜和双色分束镜。聚焦透镜和准直透镜的间距等于聚焦透镜和准直透镜的焦距之和,倍频晶体的中心与聚焦透镜和准直透镜的共焦点重合。本发明由于使用波长更长的可见光/红外光激光光束取代紫外光/紫光光束与液晶光阀进行相互作用,避免了液晶光阀对紫外光/紫光的吸收以及紫外光/紫光照射对液晶材料的老化损伤。本发明不但可用于产生图形化的紫外光/紫光光束,也可以应用于产生其他液晶吸收波段的图形化光束。

    一种全介质超表面类电磁诱导透明谐振装置

    公开(公告)号:CN109193100B

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201810876286.8

    申请日:2018-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种全介质超表面类电磁诱导透明谐振装置,包括基底和位于基底表面的呈二维周期性分布的类“S”形介质谐振单元,基底由介质材料制作,基底的介电常数大于0且小于等于5;类“S”形介质谐振单元由上横部、上纵部、中横部、下纵部、下横部依次连接为一体组成,每个连接处的转角都为90°,上横部、中横部、下横部相互平行,上纵部、下纵部相互平行;上横部和中横部的间距与中横部和下横部的间距不相等;类“S”形介质谐振单元的介电常数大于等于6。本发明不仅可以实现高透过率、高品质因子谐振,还可以提高群折射率,实现慢光效应。此外,本发明具有鲁棒性,即当谐振装置结构参数在一定范围内发生变化时,不会影响类EIT结果,对比其他类电磁诱导透明谐振装置,该优点将有利于器件加工和工程应用。

    一种高品质因子全介质超材料环形偶极谐振装置

    公开(公告)号:CN110416683A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910627644.6

    申请日:2019-07-12

    Inventor: 洪治 罗欣 刘建军

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因子全介质超材料环形偶极谐振装置,包括基底和位于基底表面上的呈二维周期性分布的介质谐振单元,基底由介质材料制作,所述介质谐振单元由两个介质开口环组成,所述两个介质开口环相互靠近的部位为相互平行的直介质条,且所述直介质条之间的间隔g2需要满足0.01λ≤g2≤0.1λ;所述两个介质开口环的开口大小相等,开口方向都平行于所述相互平行的直介质条,且开口环的开口大小g1需要满足g1≤0.05λ;所述开口方向指连接开口两侧介质条末端中心的线条所在的方向。其中,λ为所述谐振装置的谐振中心波长。介质谐振单元的介电常数大于基底的介电常数。在电磁波垂直于介质谐振单元的上表面入射且电场偏振方向平行介质开口环的开口方向的情况下,可产生环形偶极谐振,实现极高的Q值。

    一种全介质超表面电磁诱导透明谐振装置

    公开(公告)号:CN108172963A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201711438601.0

    申请日:2017-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种全介质超表面电磁诱导透明谐振装置,其基底由介质材料制作且介电常数大于0且小于等于4;介质谐振单元的介电常数大于等于6;介质谐振单元由上横部、中横部、下横部、上纵部和下纵部组成,上横部、中横部、下横部相互平行,上纵部和下纵部相互平行,上横部、中横部、下横部分别与上纵部、下纵部垂直,上横部一端与上纵部一端结合处的转角为90°,上纵部另一端与中横部一端结合处的转角为90°,中横部另一端与下纵部一端结合处的转角为90°,下纵部另一端与下横部一端结合处的转角为90°,上横部和下横部长度不等。本发明可产生同时具有高Q值和高峰值透过率的类电磁诱导透明谐振,可应用于慢波效应、非线性效应和传感应用中。

    一种谐振频率对厚度不敏感的高Q平板光子晶体

    公开(公告)号:CN119247524A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411557355.0

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明公开了一种谐振频率对厚度不敏感的高Q平板光子晶体。包括:介质板和位于介质板上呈二维周期性排列的通孔,所述通孔由两个半径不同的半圆柱形孔组成,所述两个半圆柱形孔的轴线重合,所述两个半圆柱形孔的底面重叠。所述平板光子晶体打破了C2V结构对称性,电磁波沿介质板厚度方向正入射到平板光子晶体上时,可使对称保护连续域束缚态转化为准连续域束缚态。通过改变结构参数,该准连续域束缚态可以与不同的导模之间干涉相消,从而形成多个高Q连续域束缚态。此外,本发明具有鲁棒性,其中一个高Q连续域束缚态的谐振频率对介质板厚度不敏感,该优点有利于器件加工和工程应用。

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