一种陡截止三通带频选材料结构
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116207507A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310310008.7

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种陡截止三通带频选材料结构,属于功能性电磁材料技术领域,由周期性排列的平面周期性结构构成,平面周期性结构中的第一金属箔层与第四金属箔层结构相同,第一介质层和第四介质层参数相同,第二金属箔层与第三金属箔层结构相同;金属网格层为方形金属框;第一金属箔层为回字形金属框,第二金属箔层为口字型金属框;回字型金属框的外框和口字型金属框的内侧边缘中间位置存在矩形突触,回字型金属框的外框突触与口字型金属框形成层间耦合、口字型金属框突触与回字型金属框的内框形成层间耦合。通过设计频选透波及吸波三通道,在实现双极化带内透波和带外吸波的前提下,有效降低三个通道之间的耦合度,显著降低材料的插入损耗。

    超材料低频插损测试方法及装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114636861A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210175216.6

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种超材料低频插损测试方法及装置,该方法包括以下步骤:利用天线发出低频电磁信号,测量目标点处天线发出的远场场强分布;将超材料置于天线与目标点之间,再次测量目标点处天线发出的远场场强分布;将同一天线频率,同一目标点处,有无超材料两种情况下的场强数据做差,得到相对场强变化,即为插损。本发明通过测量电磁波分别在有无超材料阻挡的情况下,一定距离后的远场分布,进而测量超材料的插入损耗,实现了低成本的超材料低频插入损耗的精确测量。

    低损耗吸波透波一体隐身罩结构

    公开(公告)号:CN114512819A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210148989.5

    申请日:2022-02-18

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗吸波透波一体隐身罩结构,包括金属框体、吸波材料、蘑菇结构以及玻璃钢蒙皮,其中,金属框体内部中空设置且上下两端均开口设置,金属框体的上下两端均安装有玻璃钢蒙皮,金属框体的中空空腔内部容纳有吸波材料,金属框体的侧壁上固定有多个蘑菇结构,蘑菇结构包括与金属框体外侧壁平行设置的圆形金属片以及连接圆形金属片和金属框体外侧壁的金属杆,金属杆的两端分别与圆形金属片和金属框体电连接。本发明提出的低损耗吸波透波一体隐身罩结构,通过在材料表面设计相互独立的透波通道和吸波通道,从而降低了带内透射电磁波与吸波材料之间的耦合度,进而在实现材料带外吸波性能的前提下降低通带内的插入损耗。

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