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公开(公告)号:CN108275683B
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN201810043346.8
申请日:2018-01-17
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B32/935 , C01B32/921 , C01B32/90 , C01B32/914 , C01B32/907 , C01B21/06 , C01B21/076 , C01B21/082 , C25D15/00
Abstract: 本发明涉及一种金属基复合材料,所述金属基复合材料包括金属基底以及直接包覆在所述金属基底表面的具有Mn+1Xn(Ts)的结构式的MXene材料膜层,所述MXene材料通过将具有Mn+1AXn的结构式的化合物去除A得到,其中,M、A、X分别为三种不同的元素,n为正整数,Ts为MXene材料表面的封端基团,本发明制备的金属基复合材料表面被MXene材料膜层均匀包覆,其中MXene材料的片层层数仅为1~15层,包覆厚度小于250nm,厚度均匀,包覆表面光滑平整,不存在表面缺陷,得到的金属基复合材料的腐蚀速率很低,仅为原金属基底腐蚀速率的0.06%左右,本发明还提出了一种新的用于制备所述金属基复合材料的方法,该方法无需复杂的仪器设备,能够方便快捷的制备所述金属基复合材料。
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公开(公告)号:CN109785996A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201711124131.0
申请日:2017-11-14
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种金属复合线材,所述金属复合线材包括金属线材基底以及通过贴合方式包覆在所述金属线材基底外表面上的均一连续的石墨烯膜层,在高温高盐环境中表面石墨烯膜层不会脱落和老化,造成金属外表面裸露。相对于普通线材来说,本发明得到的金属复合线材的腐蚀速率下降率能达到93%。本发明还提供了一种通过连续化气相沉积制备金属复合线材的方法,能够对任意长度的金属线材基底表面包覆石墨烯膜层,以制备均一连续且表面及内部不含有任何形式的接驳点的金属复合线材。
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公开(公告)号:CN104810250B
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201510202592.X
申请日:2015-04-24
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 一种一维硅纳米线阵列的制备方法,采用“自上而下”金属辅助化学刻蚀法,直接将切洗后的硅片放入稳定的金属盐的氢氟酸水溶液刻蚀液中,在超重力体系中,通过调节离心机的转速、温度、时间一步法可控制备高质量的一维硅纳米线阵列。本发明的制备方法通过在反应过程中引入超重力场,可以一步法制备不同形状的高质量的硅纳米线阵列,缩短反应时间。
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