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公开(公告)号：CN102060519A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010112709.2
申请日：2010-01-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种通过喷雾造粒改性粉体制备稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的方法，其特征在于采用醇-水体系为溶剂，通过共沉淀方法制备出稀土掺杂Re:YAG粉体，再采用喷雾造粒工艺对粉体进行改性，再通过干压与冷等静压相结合的方式成型，经过脱脂、真空烧结、退火处理、平面研磨、抛光，制备出稀土掺杂Re:YAG透明陶瓷。通过喷雾造粒工艺对粉体进行改性，即将制备的Re:YAG粉体、球磨介质以及烧结助剂、粘合剂、增塑剂、分散剂等表面活性剂进行球磨，将球磨得到的浆料通过喷雾干燥的方法进行二次造粒，改性后的粉体形成分散性良好的实心球形颗粒或近似球形颗粒，提高了自身流动性，易于成型，且存在颗粒级配，大幅度提高了素坯密度，利于后期烧结。
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公开(公告)号：CN113135737A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010055577.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/04 , C04B35/10 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种装载荧光粉的透明陶瓷材料及其制备方法与应用。所述陶瓷材料中，荧光粉均匀分散且装载在陶瓷载体中，所述荧光粉在所述陶瓷载体中的质量占比为0.5‑15％；所述荧光粉为商业荧光粉中的绿粉和/或黄粉；所述陶瓷载体为透明陶瓷载体。本发明采用高温固相法制得该荧光陶瓷材料，工艺简单，周期短，效率高，性能稳定，有效提高荧光材料的热导率及发光性能，可应用于高功率密度LED光源及激光半导体照明领域。
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公开(公告)号：CN109659243A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710935969.1
申请日：2017-10-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法，所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异，对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言，若芯片和基板之间的共晶结合面积大，芯片散热就好，热量不会在芯片上累积，芯片表面温度低，说明所述倒装共晶LED的共晶效果好；反之芯片表面温度高，反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性，评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装，无需对倒装共晶LED阵列进行X-ray探伤检测或超声波探伤检测，节省了检测成本，提高生产效率，非常适合批量生产。
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公开(公告)号：CN108091748A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611047341.X
申请日：2016-11-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用块状荧光体封装LED的装置及封装方法，其中该装置包括：铁磁固定扣具、电磁铁和控制部；其中，所述铁磁固定扣具能够嵌合所述块状荧光体；所述控制部控制向电磁铁通电或断电以及控制向电磁铁通直流电或交流电；所述电磁铁与控制部电连接，在控制部的控制下向铁磁固定扣具通直流电产生恒定磁场使铁磁固定扣具产生下压电磁力，或者向铁磁固定扣具通交流电产生交变磁场使铁磁固定扣具内部产生涡流。本发明提出的块状荧光体封装LED的装置及封装方法实现了块状荧光体封装LED光源的生产。
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公开(公告)号：CN104332539B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410299430.8
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/502
Abstract: 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102584238B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210032481.5
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/505 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种半透明钒酸钇陶瓷的制备方法，属于功能陶瓷和无机材料制备的技术领域。采用钒酸钇多晶粉体为原料，将多晶粉体、溶剂、分散剂、除泡剂按一定质量比混合，球磨12-24h；所得浆料中加入增塑剂、粘结剂，再次球磨8-16h；固定刀口高度300-1000μm，调节流延速度和温度，把真空除泡后浆料，置于流延机料斗中，流延成型；取出成型后的流延薄片，收集样品；600-900℃气氛下脱脂后，在氧环境保护下，1500-1650℃烧结，得到半透明钒酸钇陶瓷。采用本发明制备钒酸钇晶体具有所需温度低，设备简单，操作方便，成本低等优点。
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公开(公告)号：CN102898137A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210388494.6
申请日：2012-10-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/505
Abstract: 本发明涉及铥钬双掺杂钇铝石榴石透明陶瓷及其用途。该透明陶瓷组成为TmaHobY（3-a-b）Al5O12，其中0.03≤a≤0.3，0.0075≤b≤0.06。制备的透明陶瓷2mm以上厚度的直线透过率大于80%，与相应组成的晶体相当。该透明陶瓷用于产生2.1μm激光输出，该波段在人眼安全、遥感、光通信、医疗方面有着广阔应用。
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公开(公告)号：CN102060540A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010112946.9
申请日：2010-01-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/505
Abstract: 本发明涉及利用不同成型方式制备Re:YAG多晶透明陶瓷的方法，采用市售的高纯Y2O3、Al2O3、Re2O3为原料，MgO、CaO或TEOS作为烧结助剂，利用冷等静压成型，注浆成型或流延成型工艺制备生坯，反应烧结透明多晶Re:YAG陶瓷。将上述氧化物混合添加到液体介质并中添加一定量的分散剂、粘结剂、增塑剂、压型剂、除泡剂球磨混合，不同成型方式采用不同条件处理浆料，得到生坯；将脱脂后生坯放入真空炉中，烧结。厚度为1.5mm厚的Re:YAG陶瓷烧结体，双面抛光后其在1064nm处波长的直线光透过率不低于80％。不同成型方式制备生坯在1750℃烧结10小时的陶瓷晶粒大小有差异，冷等静压成型制备生坯，陶瓷平均晶粒是13.5μm；注浆成型制备生坯，陶瓷平均晶粒是3.5μm；流延成型制备生坯，陶瓷平均晶粒是1.5μm。
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公开(公告)号：CN101985399A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910112280.4
申请日：2009-07-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/505
Abstract: 本发明涉及注浆成型反应烧结制备稀土掺杂Re:YAG透明陶瓷的方法。本发明采用市售的高纯Y2O3、Al2O3、Nd2O3和MgO、TEOS为原料，MgO、CaO和TEOS作为烧结助剂，采用注浆成型工艺，反应烧结制备高透明多晶陶瓷。将上述氧化物混合添加到液体介质并中添加一定量的分散剂、粘结剂、增塑剂、除泡剂球磨混合0.5～100小时，真空除泡后浆料，浇注到石膏磨具中成型，成型生坯低温烘干，将脱脂后生坯放入真空炉中在1500～1900℃烧结，烧结时间为5～120小时，制备出透明多晶Nd:YAG透明陶瓷在1064nm波长直线透过率为83.6％。
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公开(公告)号：CN107546221B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710681452.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/64
Abstract: 本发明提供一种远程荧光LED器件及其制备方法，其中LED器件包括LED封装基板、块状固体荧光体、LED芯片；所述LED封装基板的发光面上设置有功能区，所述功能区内设置有一个以上LED芯片，其中，所述块状固体荧光体设置于已完成LED芯片安装的LED封装基板的功能区的上方，所述块状固体荧光体并与LED封装基板构成一个完整封闭的腔体，同时，所述LED封装基板的功能区内设置有两个以上通孔。再将高热导率的导热柱插入通孔，导热柱贯穿封装基板并靠近或接触块状固体荧光体。通过该高热导率导热柱，能够高效地将块状固体荧光体的热量传导至封装基板上，从而提升LED器件的散热能力。
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