一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115261993B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202210688934.3

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 本申请公开了一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用,属于半导体X射线探测器领域。所述二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶为二维层状结构。该单晶具有二维结构,具有高离子迁移扩散势垒的二维钙钛矿材料在大偏置电压下依旧有较小的暗电流和稳定性。该方法通过在降温过程中,采取特定的降温速率,从而制得具有二维层状结构、优异结晶性的毫米级单晶。该单晶在9MeV高能X射线探测器中的应用,该探测器在不同的电场强度下,X射线探测器具有优异的灵敏度,最大为46.9μCGy‑1cm‑2;在‑0.58Vμm‑1外加偏压下,经过9.0Gy的9MeV高能射线辐照,信号波动幅度小于1%。

    一种铁氧体粉体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114853077B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202210512493.1

    申请日:2022-05-12

    Abstract: 本发明包含一种铁氧体粉体及其制备方法和应用。所述铁氧体粉体的化学式为MxYb3‑xFe5O12;M为呈+3价的稀土金属元素,稀土金属元素选自Ce、Tm、Bi或Tb中的至少一种;x的取值范围为0.02≤x≤0.1。这种粉体磁性强,制备的磁光材料性能好。原料Yb、Fe元素价格低,制备成本低。粉体的饱和磁化强度为18~30emu/g,与钇铁石榴石铁氧体相当。可制备红外区透明的磁光陶瓷和晶体,在应用方面适用于含有YIG材料的磁光器件,如光隔离器、光调制器等。

    一种掺杂氟化镥锂微晶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115058248B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202210640510.X

    申请日:2022-06-07

    Abstract: 本发明公开了一种新型掺杂氟化镥锂微晶长余辉闪烁复合材料的制备方法及其应用。所述掺杂氟化镥锂微晶的分子式为LiRExMyLu(1‑x‑y)F4,RE为稀土离子,M为+2价金属离子,0.01≤x≤0.5,0≤y≤0.1,该系列晶体生长温度低,能够使用水热法生长。不等价金属离子的掺入能够在微晶单晶中产生大量可控固有晶体缺陷从而增强了微晶材料的闪烁发光和余辉强度。所述的新型长余辉闪烁复合材料由LiRExMyLu(1‑x‑y)F4微晶与聚合物基质材料复合而成,在X射线激发后,该类复合材料表现出良好的长余辉发光性能和闪烁性能。这类复合材料制备成膜后具有高于16线对每毫米(LP·mm‑1)的X射线成像空间分辨能力和X射线光学信息储存能力,可用于电子元件无损探伤,辐射成像等领域。

    一种磁光透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115594502A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211268423.2

    申请日:2022-10-17

    Abstract: 本申请公开了一种磁光透明陶瓷及其制备方法和应用,所述磁光透明陶瓷的化学通式为Ho3Sc2Al3O12,所述制备方法包括:步骤S1,将含有氧化钬、氧化钪、氧化铝、烧结助剂的混合粉体压制成型后获得素坯;步骤S2,将步骤S1获得的素坯预烧结、真空烧结、退火,获得所述磁光透明陶瓷。所制备的磁光透明陶瓷具有优秀的线性透过率,稳定的热学性能,较高的磁光性能,与主流的商用铽基磁光材料相比本申请中磁光透明陶瓷所采用的制备方法还具有原料成本低、制备成本低的优势。可以进一步推动磁光透明材料在光隔离器或光调制器中的应用。

    一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115261993A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210688934.3

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 本申请公开了一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用,属于半导体X射线探测器领域。所述二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶为二维层状结构。该单晶具有二维结构,具有高离子迁移扩散势垒的二维钙钛矿材料在大偏置电压下依旧有较小的暗电流和稳定性。该方法通过在降温过程中,采取特定的降温速率,从而制得具有二维层状结构、优异结晶性的毫米级单晶。该单晶在9MeV高能X射线探测器中的应用,该探测器在不同的电场强度下,X射线探测器具有优异的灵敏度,最大为46.9μCGy‑1cm‑2;在‑0.58Vμm‑1外加偏压下,经过9.0Gy的9MeV高能射线辐照,信号波动幅度小于1%。

    一种掺杂氟化镥锂微晶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115058248A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210640510.X

    申请日:2022-06-07

    Abstract: 本发明公开了一种新型掺杂氟化镥锂微晶长余辉闪烁复合材料的制备方法及其应用。所述掺杂氟化镥锂微晶的分子式为LiRExMyLu(1‑x‑y)F4,RE为稀土离子,M为+2价金属离子,0.01≤x≤0.5,0≤y≤0.1,该系列晶体生长温度低,能够使用水热法生长。不等价金属离子的掺入能够在微晶单晶中产生大量可控固有晶体缺陷从而增强了微晶材料的闪烁发光和余辉强度。所述的新型长余辉闪烁复合材料由LiRExMyLu(1‑x‑y)F4微晶与聚合物基质材料复合而成,在X射线激发后,该类复合材料表现出良好的长余辉发光性能和闪烁性能。这类复合材料制备成膜后具有高于16线对每毫米(LP·mm‑1)的X射线成像空间分辨能力和X射线光学信息储存能力,可用于电子元件无损探伤,辐射成像等领域。

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