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公开(公告)号：CN102376779A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110380007.7
申请日：2011-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种SiC肖特基二极管，包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层，所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，所述N--SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域环，作为该二极管器件的结终端延伸结构；在所述P--SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环，n≥2；各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。还公开一种SiC肖特基二极管的制作方法。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度。
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公开(公告)号：CN102299138A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010217271.4
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种金铁合金互联线及其制作方法。该金铁合金互联线含有金和铁两种元素，铁的含量在0.1％至0.5％之间，该方法包括：溶液的配置；清洗半导体芯片；在清洗干净的半导体芯片上涂上一层光刻胶，然后曝光、显影，光刻出需要布线的线条；在芯片上溅射种子层；在半导体芯片上再次涂上一层光刻胶，然后曝光、显影，将需要电镀线条暴露出来，不需要电镀加厚的地方用光刻胶保护起来，实现选择性电镀；将半导体芯片放在夹具上固定，对半导体芯片进行电镀；采用丙酮、乙醇去掉二次光刻胶；将去完胶的半导体芯片放入丙酮、乙醇溶液中，超声剥离电镀时纯粹导电用种子层。本发明满足了大功率、高频化合物半导体互连线强度与电阻率的需要。
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公开(公告)号：CN102437201B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110380662.2
申请日：2011-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。
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公开(公告)号：CN102487104B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010574100.7
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102297843B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010217202.3
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法。该系统包括半导体激光器光源、输入光纤、光纤微动架、微纳光波导倏逝波光传感器、输出光纤、光纤微动架和光电二极管。该方法包括：首先，在待测溶液中加入显色试剂，该显色试剂与待测溶液中的正磷酸根离子反应形成络合物；然后，选择该络合物光吸收谱峰值波长作为探测光波长，获得光传感测试系统的标准光响应曲线；最后，测量待测溶液的光信号能量变化，将该光信号能量变化与该标准光响应曲线进行比对，得到待测溶液的总磷含量。
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公开(公告)号：CN102446721B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110412636.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/266 , G06F17/50
Abstract: 公开多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法包括用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子，根据所需掺杂浓度分布及采用能量组合个数，确定选用单能离子注入的关系因子，确定能量组合；利用经验因子和经验公式的反推方法确定能量组合中单个能量的剂量值，并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布；将箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，消除箱型注入分布前拖尾，形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布；将各掺杂段箱型掺杂浓度分布，去除掩蔽牺牲层，通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布，通过微调各掺杂段台阶处剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。
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公开(公告)号：CN102376779B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110380007.7
申请日：2011-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种SiC肖特基二极管，包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层，所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，所述N--SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域环，作为该二极管器件的结终端延伸结构；在所述P--SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环，n≥2；各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。还公开一种SiC肖特基二极管的制作方法。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度。
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公开(公告)号：CN102486457A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574480.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种级联型光纤总磷含量检测传感器，该传感器包括一单模光纤和一多模光纤，且单模光纤和多模光纤以级联的方式相距一定长度固定安装在同一个带有V型槽的基板上，其中光信号输入端为一单模光纤，光信号输出端为一多模光纤，两根光纤之间相距一定距离，并利用上下两组V型槽基板实现光纤的固定安装。本发明同时公开了一种级联型光纤总磷含量检测传感器的制作方法。本发明提供了一种简便、灵活的总磷检测手段，简化了总磷检测的复杂度。
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公开(公告)号：CN102487024B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010574339.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法，属于硅基光电异质集成技术领域。该三维排气孔装置包括垂直排气孔和水平排气槽两部分组成，垂直排气孔呈圆柱形，深度穿透顶层硅直达埋氧层，它可以使键合过程中产生的H2O和H2气体通过疏松多孔的埋氧层被吸收和扩散。水平排气槽是与孔同心的有一个十字形浅槽，它作为水平的通气装置，起到收集气体，使其快速有效地通过排气孔被吸收和扩散。三维排气孔装置结构的采用大大降低键合界面上的因气泡产生的缺陷，可以有效提高晶片键合质量。
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