公开(公告)号：CN101211989A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610169749.4

申请日：2006-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  范海波 ,  李成明 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L31/02 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄氮化铪可协变层，该薄氮化铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。

公开(公告)号：CN101017831A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003530.7

申请日：2006-02-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  陈涌海 ,  李成明 ,  范海波 ,  王占国

IPC: H01L27/12

Abstract: 一种具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规SOI可协变衬底，包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层；一具有立方结构的氮化铪薄中间层，制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上，并与之一起构成复合可协变层，共同协调失配应变，从而得到一种SOI型复合可协变层衬底；一大失配外延层，与Si衬底1有较大晶格失配，制备在立方氮化铪薄中间层上，并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。