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公开(公告)号：CN106200021A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610563198.3
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02F1/09 , G02B6/2861 , G02B6/355 , G02F1/092
Abstract: 本发明提供一种小型化可调谐的宽带稳相光纤延迟线，包括：第一低噪声微波放大器、宽带直调激光器、光环形器、第一单模光纤、第一磁光开关、第二单模光纤、第一光纤反射镜、第二磁光开关、第三单模光纤、第二光纤反射镜、第三光纤反射镜、宽带光电探测器和第二低噪声微波放大器本发明主要针对解决传统光纤延迟线对温度变化敏感，传输宽带微波信号相位漂移严重的问题；同时也需要解决主动温控或反馈补偿式光纤稳相延迟线体积笨重、结构复杂、重复性差的问题。
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公开(公告)号：CN105607302A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610159350.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/035
Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊光载波恢复的可调谐单通带微波光子滤波器，其包括：可调谐激光器、光耦合器、第一光放大器与第二光放大器、第一光环形器与第二光环形器、复绕在一起的第一段单模光纤与第二段单模光纤、第一光偏振控制器与第二光偏振控制器、马赫增德尔调制器、光纤法珀滤波器、光隔离器、高速光电探测器、电矢量网络分析仪。利用本发明，可实现单通带频率响应的微波光子滤波器，改变可调谐激光器的出光波长，实现微波光子滤波器滤波通带的宽带可调谐。
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公开(公告)号：CN103175860B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310057153.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于离子摩尔浓度监测的路面冰点温度测试系统及方法，根据溶液冰点温度与离子摩尔浓度的线性单调关系，通过溶液阻抗监测进行离子摩尔浓度测量，结合当前溶液温度，通过标定和校准即可测得溶液当前冰点温度。与常规冰点温度测试方法相比，该方法省去了溶液制冷装置及其温度控制单元，结构简单；同时由于检测对象直接是影响溶液冰点温度的离子摩尔浓度，因而可直接测量由多种不同溶质混合而成的溶液的冰点温度。该方法可应用于交通道路路面冰点温度测量，实现冬季道路结冰状态监测，指导交通运输安全。
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公开(公告)号：CN103326795A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310197022.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B17/00
Abstract: 一种基于时间-频谱卷积原理的宽带射频信号相关检测方法，用于对宽带射频信号的匹配滤波，包括以下几个步骤：步骤1：使用激光器产生多波长激光光源；步骤2：将产生的激光通过光滤波器使用光谱成形技术，产生与被探测宽带射频信号时域波形共轭的幅频响应包络；步骤3：通过电光强度调制器将接收到的被探测宽带射频信号加载在光谱成形后的激光上；步骤4：将被调制后的光信号通过线性色散器件引入色散延迟；步骤5：接入光电探测器中进行光电转换，输出的信号即为相关运算后检测到的电脉冲信号，本发明可以有效避免数据的线下处理，完成对宽带射频信号的即时测量。
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公开(公告)号：CN103175860A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310057153.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于离子摩尔浓度监测的路面冰点温度测试系统及方法，根据溶液冰点温度与离子摩尔浓度的线性单调关系，通过溶液阻抗监测进行离子摩尔浓度测量，结合当前溶液温度，通过标定和校准即可测得溶液当前冰点温度。与常规冰点温度测试方法相比，该方法省去了溶液制冷装置及其温度控制单元，结构简单；同时由于检测对象直接是影响溶液冰点温度的离子摩尔浓度，因而可直接测量由多种不同溶质混合而成的溶液的冰点温度。该方法可应用于交通道路路面冰点温度测量，实现冬季道路结冰状态监测，指导交通运输安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102904646A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210333034.3
申请日：2012-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/60
Abstract: 一种基于光梳的偏振复用信道化接收机，包括：一平坦光梳发生器；一光强度调制器，其与平坦光梳发生器连接；一光耦合器，该其与光强度调制器连接；一声光调制器，其与光耦合器连接；一可变衰减器，其与光耦合器连接；一第一偏振控制器，其与可变衰减器连接；一第二偏振控制器，其与声光调制器连接；一偏振合束器，与第一偏振控制器连接；一F-P标准具，其与偏振合束器连接；一第三偏振控制器，其与F-P标准具连接；一偏振分束器，其与第三偏振控制器连接；分别与偏振分束器连接；一第一光电探测器阵列和一第二光电探测器阵列，分别与第一波分复用器和第二波分复用器连接。其是在不改变光梳光谱分量数目的基础上，提高测量范围及测量精度。
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公开(公告)号：CN101872798B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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公开(公告)号：CN101740654B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810226677.1
申请日：2008-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长；一InxGa1-xN材料模板，该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上；一纳米柱阵列，该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上；一半导体太阳能电池p-i-n结构，该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明，可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积，降低半导体薄膜表面对太阳光的反射，提高光子收集率，减少光生载流子的复合，提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN106200021B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610563198.3
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种小型化可调谐的宽带稳相光纤延迟线，包括：第一低噪声微波放大器、宽带直调激光器、光环形器、第一单模光纤、第一磁光开关、第二单模光纤、第一光纤反射镜、第二磁光开关、第三单模光纤、第二光纤反射镜、第三光纤反射镜、宽带光电探测器和第二低噪声微波放大器本发明主要针对解决传统光纤延迟线对温度变化敏感，传输宽带微波信号相位漂移严重的问题；同时也需要解决主动温控或反馈补偿式光纤稳相延迟线体积笨重、结构复杂、重复性差的问题。
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公开(公告)号：CN101922015B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010263078.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
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