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公开(公告)号：CN101685146A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810223614.0
申请日：2008-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统，包括分子束外延系统、具有特殊光路的磁场控制系统、表面磁光克尔效应测试系统和铁磁性薄膜样品；具有特殊光路的磁场控制系统与分子束外延系统生长室的衬底观察窗口相对接，表面磁光克尔效应测量系统通过调试，能够使入射激光通过磁场控制系统的特殊光路照射到固定在处于生长位置操作器上的铁磁性薄膜样品表面，铁磁性薄膜样品表面的反射激光能够通过磁场控制系统的特殊光路反馈到信号接收器中。同时公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的方法。本发明具有简单方便易操作的优点，可无损伤无影响地实现原位表面磁光克尔效应的测量。
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