一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118420348A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410669281.3

    申请日:2024-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。该制备方法包括:制备SiC纤维编织体;采用化学气相沉积法在SiC纤维编织体表面沉积界面层;将SiC粉体、烧结助剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和溶剂混合制备SiC浸渍浆料;将沉积界面层的SiC纤维编织体浸入SiC浸渍浆料中浸渍取出,经干燥、热轧得到SiC预浸片;将SiC预浸片裁剪,经叠层、低温压力辅助烧结,得到SiCf/SiC预制体;将SiCf/SiC预制体浸入SiC先驱体溶液中浸渍;将浸渍后的SiCf/SiC预制体进行高温固化和裂解;重复浸渍‑固化‑裂解步骤,直到SiCf/SiC复合材料增重小于1%为止,得到SiCf/SiC陶瓷基复合材料。

    一种制备纤维增强陶瓷基复合材料的夹具及制备方法

    公开(公告)号:CN117655950A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311614803.1

    申请日:2023-11-29

    Abstract: 本发明涉及纤维增强陶瓷基复合材料制备技术领域,具体涉及一种制备纤维增强陶瓷基复合材料的夹具及制备方法。一种制备纤维增强陶瓷基复合材料的夹具,用于固定纤维束以避免纤维束在界面相沉积和基体相沉积过程中发生变形,其特征在于,包括压条,紧固装置和中空的石墨架,所述纤维束的两端分别放置在在石墨架的两边,所述压条设置在所述纤维束的两端的上方,所述紧固装置用于紧固所述压条和石墨架,以实现对于所述纤维束的紧固,其中所述紧固装置对所述纤维束在界面相沉积中的抵接力小于所述紧固装置对所述纤维束在基体相沉积中的抵接力。

    一种碳化硅陶瓷基复合材料微区弹性模量的测试方法

    公开(公告)号:CN115774126A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202111057804.1

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅陶瓷基复合材料微区弹性模量的测试方法,包括:(1)启动AFM接触式工作模式扫描碳化硅陶瓷基复合材料样品的抛光表面形貌,得到样品高分辨率形貌图像,然后启动AFM力/曲线工作模式对碳化硅陶瓷基复合材料样品进行力/曲线测定;(2)依据碳化硅陶瓷基复合材料样品的微区结构特征和弹性变形机制,建立探针/测试表面数学接触模型,通过Image Analysis软件计算单元对挠度‑位移曲线进行拟合,得到微区结构的弹性变形过程力‑位移曲线;所述微区结构包括纤维、基相体和界面相;(3)根据微区结构的弹性变形过程力‑位移曲线的曲线斜率计算出弹性模量。

    一种高温环境下碳化硅陶瓷基复合材料微区残余应力的测试方法

    公开(公告)号:CN115773835A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202111057811.1

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 本发明涉及一种高温环境下碳化硅陶瓷基复合材料微区残余应力的测试方法,包括:(1)将碳化硅陶瓷基复合材料薄片放入内置加热元件的Raman光谱仪测试腔内,启动加热程序,升温至测试温度,启动激光电源并搜集样品各微区的Raman光谱数据;所述微区包括基体、界面和纤维;(2)利用绘图软件将Raman光谱数据绘制成图,标定材料微区的特征峰,利用重心法则计算特征峰的等效波长λb;(3)先根据在高温环境下Raman特征峰等效波长λb与常温态标准波长λ0的差值,得到Raman峰频移Δλ,再根据残余应力σr与频移Δλ的线性定量关系σr=C×Δλ,得到残余应力σr值。

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