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公开(公告)号：CN106747477A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510833913.6
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/624 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Cf/SiC-ZrC-ZrB2超高温陶瓷基复合材料的制备方法，所述制备方法包括：（1）制备含有H3BO3和聚乙烯醇的溶胶溶液；（2）利用真空浸渍将所述溶胶溶液引入碳纤维预制体，凝胶化得到Cf/聚硼酸乙酯；（3）Cf/聚硼酸乙酯在惰性气体下裂解，得到Cf/B2O3-C；（4）在惰性气体下对所得Cf/B2O3-C进行碳热还原反应得到Cf/B4C-C；（5）将熔融的ZrSi2渗入Cf/B4C-C中进行熔渗反应原位生成SiC、ZrC、ZrB2，得到所述Cf/SiC-ZrC-ZrB2超高温陶瓷基复合材料。本发明的方法简便易行，制备的Cf/SiC-ZrC-ZrB2具有超高温相（ZrC、ZrB2）含量高、分布均匀，显著改善了材料的耐烧蚀性能、抗氧化性能和力学性能。
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公开(公告)号：CN104591738A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510058341.9
申请日：2015-02-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高韧性碳化硼陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：a）制备混合粉体，其中，混合粉体的组成包括：以重量百分数计算，80%-90%的碳化硼粉体、5%-10%的微孔碳、5%-10%的钛粉；b）将粘结剂和制备的混合粉体均匀混合后，用于制备陶瓷生坯；c）将制备的陶瓷生坯干燥后，在规定温度下排胶，获得多孔预制体；d）将多孔预制体与硅粉在1450-1600℃下反应，得到所述高韧性碳化硼陶瓷。
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公开(公告)号：CN102330328A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110158123.4
申请日：2011-06-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: D06M11/74 , D06M11/83 , C01B31/02 , D06M101/40
Abstract: 本发明提供一种三维纤维/碳纳米管多级增强体，通过化学气相渗透(CVI)工艺在三维纤维预制体中生长作为纳米增强相的碳纳米管(CNTs)，得到所述多级增强体。本发明还提供所述多级增强体的制备方法。
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公开(公告)号：CN115784749B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111056523.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将SiC粉体、Re2O3粉体、粘结剂和溶剂混合，得到混合浆料；（2）将碳化硅纤维布或碳纤维布浸入混合浆料中，得到纤维预浸片后，再经裁剪、叠层、干燥、固化、一次热解，得到预制体；（3）将所得预制体浸渍树脂，再经二次热解和反应熔渗处理，得到耐高温水氧侵蚀的碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN116199519A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310057159.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用低温或者高温化学气相沉积工艺在纤维预制体表面沉积第一层BN界面层并在沉积结束后对纤维预制体进行第一次热处理，或者仅采用高温化学气相沉积工艺在预先制备好的纤维预制体表面沉积第一层BN界面层，得到沉积第一层BN界面层的纤维预制体；采用化学气相沉积工艺在所述沉积第一层BN界面层的纤维预制体表面连续依次沉积第二层BN界面层和陶瓷基体，得到沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体；对所述沉积双BN界面层和陶瓷基体的纤维预制体进行第二次热处理；致密化，得到所述双BN界面层纤维增强陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN109608208B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811542939.5
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/628 , C04B35/80
Abstract: 本发明涉及一种多层界面涂层及其制备方法和应用，所述多层界面涂层包括依次交替形成在所述基底表面的SiBN涂层和Si3N4涂层，所述SiBN涂层的层数n≥1，优选为2～5。
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公开(公告)号：CN110894164B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811068099.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/50 , C04B35/16
Abstract: 本发明涉及一种稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料包括纤维预制体、用于填充纤维预制体的SiC基体、环状分布在纤维预制体中纤维表面和SiC基体之间的至少2层稀土硅酸盐层、以及位于相邻稀土硅酸盐层之间的SiC层；优选地，所述稀土硅酸盐层的层数为2～3层。
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公开(公告)号：CN110894164A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811068099.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/50 , C04B35/16
Abstract: 本发明涉及一种稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料包括纤维预制体、用于填充纤维预制体的SiC基体、环状分布在纤维预制体中纤维表面和SiC基体之间的至少2层稀土硅酸盐层、以及位于相邻稀土硅酸盐层之间的SiC层；优选地，所述稀土硅酸盐层的层数为2～3层。
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公开(公告)号：CN106588060B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610990055.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573
Abstract: 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。
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公开(公告)号：CN103771389B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310714065.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长管径均匀的碳纳米管阵列的方法，主要包括：步骤A)在金属箔片上沉积缓冲层和催化剂层形成复合基底；步骤B)通入还原气体，于3～20kPa低压下对复合基底上的催化剂进行还原处理；步骤C)通入由惰性气体、还原气体和碳源气体组成的混合气体，于15～40kPa低压下，采用化学气相沉积法在复合基底上原位生长碳纳米管阵列。本发明的方法中，催化剂的还原和碳纳米管阵列的生长分别控制在3～20kPa和15～40kPa的低压下进行，不但提高了工艺的安全性，还有效控制了催化剂粒子的粒径和形貌以及阵列的生长，可以获得高质量管径均匀的碳纳米管阵列。本发明的碳纳米管阵列的高度为100～350μm，管径分布均匀，为8～20nm，标准差小于3nm。
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