公开(公告)号：CN215870205U

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202121895398.1

申请日：2021-08-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐刚毅 ,  何力 ,  朱海卿 ,  王凯 ,  谭诚 ,  朱欢

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/12

Abstract: 本专利涉及一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器，包括衬底、位于衬底上方的键合金属层，键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向排布且彼此相连的种子激光区和总线波导，总线波导的一侧设有沿激光器的长度方向排布且彼此间隔开的谐振环和过渡电极，谐振环和过渡电极之间架设有金属空气桥，并且种子激光区的端部以及总线波导的端部设有吸收边界。本专利还提供一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器的制备方法，本专利能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹矢量涡旋激光，可以实现中空的环状远场光斑，所发射的矢量涡旋光可以分解成携带轨道角动量的左旋和右旋圆偏振光，偏振特性为角向偏振，具有稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高的优点。

公开(公告)号：CN219677768U

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202320533220.5

申请日：2023-03-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐刚毅 ,  刘国文 ,  王凯 ,  甘良华 ,  白弘宙 ,  谭诚 ,  臧善志 ,  严川峰 ,  林春 ,  何力 ,  丁瑞军

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/042

Abstract: 本专利涉及一种产生径向偏振柱矢量光束的太赫兹量子级联激光器，结构从下至上依次为，衬底层，下电极层和有源区层。有源区层上有位于中心的圆形第一上电极层，围绕着第一上电极层的圆环状第二上电极层和围绕着第二上电极层的圆环状吸收边界层。所述有源区层与第一上电极层交界处结构为一阶同心圆金属掩埋光栅，第二上电极层的结构为二阶同心圆金属‑空气光栅。一阶同心圆金属掩埋光栅与二阶同心圆金属‑空气光栅的圆心重合。一阶同心圆金属掩埋光栅激射角向基模，在波导内产生各向同性的柱面波辐射；二阶同心圆金属‑空气光栅将波导内光耦合为垂直面发射的径向偏振柱矢量光束。最终本专利器件可以单片集成的获得径向偏振的柱矢量光束。

公开(公告)号：CN215934056U

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202121895778.5

申请日：2021-08-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐刚毅 ,  王凯 ,  朱欢 ,  谭诚 ,  白弘宙 ,  何力

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/12

Abstract: 本专利涉及一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器，包括一衬底以及位于该衬底上方的键合金属层，所述键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向依次排布的种子激光区、渐变放大区、绝缘区、发射区，种子激光区的与渐变放大区相对的一侧设有第一吸收区，发射区的周侧设有第二吸收区；渐变放大区的宽度从种子激光区向绝缘区渐张，绝缘区的宽度从渐变放大区向发射区渐张。本专利还提供一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器的制备方法，本专利能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹标量涡旋激光，可以实现中空的环状远场光斑，相位呈螺旋形携带轨道角动量，可以实现特定的拓扑荷数，偏振特性为线性，稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高。