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公开(公告)号：CN203774352U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028345.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器，所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于：能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响；利用锗透镜的聚光作用，从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测，大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本专利的公开，对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用，并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN203525984U
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201320623449.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种具有预退火功能的匀胶机，它包括注胶装置，加热装置，散热装置和匀胶机四部分。注胶装置将手动滴胶过程简化为常闭型水阀的简单开关动作的控制过程，提高了滴胶效率，避免经验化滴胶可能带来的问题。加热装置用于对样品进行加热，实现薄膜的低温预退火功能。散热装置用于为匀胶机内胆降温，并促进加热装置内外的热量和气体交换，排出经加热后逸出的有机物质。匀胶机用于实现薄膜制备时的甩胶操作。本专利装置可将溶胶-凝胶法的滴胶-甩胶-低温预退火制备薄膜的实验流程，简化为多次重复滴胶-甩胶-低温预退火后使用快速退火炉集中高温热处理制备薄膜的实验流程，缩短制膜时间，大幅提高了制膜效率。
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公开(公告)号：CN203774351U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028341.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
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公开(公告)号：CN203772418U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028407.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm–1200nm；第二金属层是膜厚为8nm–12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm–100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8–14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。
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