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公开(公告)号：CN104297324B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410608185.4
申请日：2014-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海蓝迪数码科技有限公司
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明涉及一种基于Android平台的利用电化学的方法检测重金属离子的仪器。其特征在于所述的仪器主要由两个部分组成：检测前端设备与数据管理后端控制设备。检测前端设备的基本原理是利用电化学分析方法对重金属离子检测的作用，设计了相应的电路板系统与起传感作用的检测电极。电路板产生特定的电压波形驱动检测电极，并实时采集电极上经过的电流。数据管理后端控制设备是基于已普及的Android智能设备，开发相应的数据处理应用程序，并通过无线传输与检测前端设备进行通信，控制其工作，同时接收并保存处理前端传回的数据。本发明充分利用了Android智能设备普遍具有的强大处理能力和良好的人机交互，又极大地降低了整个检测系统的成本，具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN102964617A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210521466.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物分子固定的薄膜、制作方法及应用。所述用于生物分子固定的薄膜，其特征在于在电化学聚合沉积的聚苯胺薄膜中加入含有疏基分子的化学试剂R-SH，将还原单元中的二级胺部分还原成一级胺，将氧化单元中的三级胺叔胺还原成二级胺，使没有活性的氧化单元与醛基反应生成烯胺，从而增加了生物分子的固定效率。本发明提供的薄膜制备分为导电和非导电两大类，以QCM表面利用还原态聚苯胺固定蛋白质分子甲胎蛋白抗体和在不导电玻璃表面利用还原态聚苯胺固定核酸分子作为实例说明其应用。
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公开(公告)号：CN100562749C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200510027903.X
申请日：2005-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低通量微阵列生物芯片的制备装置，所述的装置是由硅基微喷头阵列芯片、PDMS弹性薄膜和弹性环、SU-8基的挤压头阵列、钕铁硼磁致驱动器和样品载波片构成的；其中PDMS弹性薄膜与硅基微喷头阵列芯片采用紫外胶实现粘结和微通道密封，SU-8基的挤压头阵列与微喷口对准并将整个钕铁硼磁致驱动器通过PDMS弹性环固定在PDMS薄膜表面，载波片承载微喷口挤出的微液滴点阵列。利用硅深反应离子刻蚀和微机电加工系统技术在硅基片上制作含有进样池、微通道、微贮液池和微喷口等微结构，根据磁致驱动原理制作驱动器，并用于驱动PDMS弹性薄膜，采用PDMS和环氧树脂将制成的独立部件进行封装而制成。具有操作简单，易于普及特点。
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公开(公告)号：CN100460028C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610119366.6
申请日：2006-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: A61M37/0015 , A61M2037/0053
Abstract: 本发明涉及一种用于药物传输的微针阵列，其特征在于阵列中的微针由针尖、针体和基底组成，微针阵列中的微针属于异平面实心微针，针尖用于刺破活体动物皮肤、针体增加刺入量，基底用于稳定微针阵列和防止微针在皮肤中断裂或残留；微针基底面积、微针数目、针的三维结构、针尖间隔、针尖的高度以及针尖的倾角依实际应用需要改变，所述微针阵列采用MEMS工艺与polymer-MEMS工艺相结合，只用一张掩模板实现两次光刻分别形成微针的针尖和针体，工艺简单。药物传输方式采用水凝胶凝固后形成的微孔进行疫苗或药物的传输。
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公开(公告)号：CN101055323A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710039450.1
申请日：2007-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种狭缝装置及其制作方法，其特征在于所述的狭缝装置是由位于中心的狭缝芯片和狭缝芯片辅助装置两部分构成，狭缝芯片安放在狭缝芯片辅助装置的中空结构中，狭缝芯片中心含有一定大小的狭缝，狭缝芯片铺助装置固定狭缝芯片。所述的狭缝是通过腐蚀工艺在硅衬底中间形成的，其尺寸由掩膜版曝光尺寸决定，改变掩膜版曝光尺寸可制成不同尺寸的狭缝。所述的狭缝芯片辅助装置是通过四角打孔螺钉对狭缝芯片进行夹持固定的。其制作方法包括狭缝芯片的整体设计、制作以及组装三步。所涉及的狭缝装置可依实际需要制作，便于光学检测仪器的微型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1719257A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510027903.X
申请日：2005-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低通量微阵列生物芯片的制备装置，所述的装置是由硅基微喷头阵列芯片、PDMS弹性薄膜和弹性环、SU－8基的挤压头阵列、钕铁硼磁致驱动器和样品载波片构成的；其中PDMS弹性薄膜与硅基微喷头阵列芯片采用紫外胶实现粘结和微通道密封，SU－8基的挤压头阵列与微喷口对准并将整个钕铁硼磁致驱动器通过PDMS弹性环固定在PDMS薄膜表面，载波片承载微喷口挤出的微液滴点阵列。利用硅深反应离子刻蚀和微机电加工系统技术在硅基片上制作含有进样池、微通道、微贮液池和微喷口等微结构，根据磁致驱动原理制作驱动器，并用于驱动PDMS弹性薄膜，采用PDMS和环氧树脂将制成的独立部件进行封装而制成。具有操作简单，易于普及特点。
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公开(公告)号：CN1629319A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410054083.9
申请日：2004-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明涉及一种生物微喷阵列点样装置及制作方法，其特征在于点阵装置的主体结构依次由四层组成，最上面一层是用于封装的聚二甲基硅氧烷薄膜，第二层是用于固定和支撑的硬性物质，第三层是微型EAP驱动器，第四层是含微进样池、微管道、微贮液池和微喷嘴阵列的微结构层；第三层和第四层是用紫外胶封装，第二层、第三层和第四层用AB胶封装。其制作方法是利用MEMS技术和封装技术，它不同与微印章法。利用电致伸缩聚合物代替压电聚合物，本发明具有制作的点样装置体积小，制作简单，工艺流程短而装置设计灵活、多变等特点。
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公开(公告)号：CN114374639A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111453825.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L45/02 , H04W4/06 , H04W28/02 , H04L45/00 , H04L45/12 , H04L45/24 , H04W4/80 , H04W8/26 , H04W24/08 , H04W40/24 , H04W84/18 , H04W88/10 , H04W88/16
Abstract: 本发明提供一种基于空中唤醒的LoRa‑Mesh组网方法，包括：S0：将采集到信息的监测终端作为源节点，将网关作为目的节点；S1：源节点启动发送任务；S2：判断源节点能否单跳至目的节点，若是则转到S6，否则继续S3；S3：判断源节点的路由表中是否存在可用路由；若存在，则执行S5；否则，执行S4；S4：源节点启用融合唤醒与等待机制的AODV协议的路由发现；S5：向源节点单播RREP，更新源节点的路由表；S6：建立源节点到目的节点的连接。本发明还提供相应的移动终端入网方法。本发明的组网及移动终端入网方法对地面关键公共基础设施的监测范围更广，保证收发无线数据稳定性的同时，最大限度降低网络功耗。
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公开(公告)号：CN104241116B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410404017.3
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，包括：采用不同试剂对锗片表面进行清洗，有效除去锗表面污物以及表层氧化层，实现锗表面的初步氯化；然后采用乙醇和水的混合液配制硫醇试剂，采用适当加热的钝化条件在锗表面得到自组装膜。本发明具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。
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公开(公告)号：CN104332405A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410482922.0
申请日：2014-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/775 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L29/66439
Abstract: 本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO2层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si3N4保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。
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