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公开(公告)号：CN105390556A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510755818.9
申请日：2015-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/035272 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构，所述吸收区结构采用In1-xGaxAsyP1-y材料生长，其中，x、y分别为Ga元素和As元素的材料组分，0
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公开(公告)号：CN103928557A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410143655.4
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/173 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的同心圆环光耦合器及制作方法，所述同心圆环光耦合器包括形成于器件材料表面的多级同心圆环以及覆盖于各所述同心圆环表面的反射金属层，所述多级同心圆环呈凹凸相间排列，各所述同心圆环的半径rk=(2k-1)λ0/(4n)，其中，k为同心圆环对应的级数，λ0为太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应波长，n为太赫兹量子阱光电探测器的器件材料的折射率。本发明的同心圆环光耦合器可直接制作于器件表面，与现有常用的光栅结构光耦合器相比，本发明可实现会聚的功能，可有效提升器件有源区单位体积内的光强，从而实现器件性能的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN103887372A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410133488.5
申请日：2014-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的设计方法，包括：1）根据太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应频率在器件材料中的波长λp，设计刻蚀光栅的周期P，使P＝λp；2）计算在入射光照射下太赫兹量子阱光电探测器内部的电磁场分布；3）提取电磁场分布中对子带间跃迁有贡献的分量，并在有源区内对该分量的能量进行积分，得到有源区中对子带间跃迁有贡献的总能量It；4）设置不同的光栅高度h，计算在不同光栅高度h下的总能量It，选取总能量It最大时的光栅高度h作为刻蚀光栅的高度。本发明可有效提升太赫兹量子阱光电探测器在峰值响应频率点的性能，对高性能太赫兹量子阱光电探测器的实现及其成像应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN102386245A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110052206.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0232 , G02B5/18 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹量子阱探测器的一维金属光栅及其设计方法。该一维金属光栅的周期d等于对应太赫兹量子阱探测器的峰值响应频率在所述太赫兹量子阱探测器的器件材料中的波长λpeak。其设计方法包括如下步骤：1）测量器件在45度角端面入射情况下的光电流谱，确定器件的响应峰值，根据器件的峰值响应频率确定光栅的截止频率，进而设计光栅的周期；2）选取合适的光栅材料；3）设计合适的光栅厚度。该方法可通过红外傅里叶变换光谱仪测量得到器件的本征响应区域及响应峰值，计算出峰值响应频率在器件材料中的波长λpeak，从而设计光栅的周期为d=λpeak。本发明对高性能太赫兹量子阱探测器的实现及其成像应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101834227A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010159044.0
申请日：2010-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；2)在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。该方法可通过对器件衬底的研磨、抛光和腐蚀以实现器件中光场的最优化分布，同时设计合理的上电极层的厚度并适当增加量子阱层数可使多量子阱处于光场较强的区域，从而提高器件的性能，优化其响应率，对THz实时成像的研究和实现具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106872053B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201710225234.X
申请日：2017-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J5/53 , G01J5/10 , G01J5/0821 , G01J5/08 , G01J5/48
Abstract: 本发明提供一种太赫兹噪声辐射源及成像系统，所述太赫兹噪声辐射源包括：黑体，与所述黑体的输出口对准的光纤准直器，通过光纤与所述光纤准直器连接的第一掺饵光纤放大器，通过光纤与所述第一掺饵光纤放大器连接的光调制器，通过光纤与所述光调制器连接的第二掺饵光纤放大器，以及通过光纤与所述第二掺饵光纤放大器连接的光电转换器；其中，所述光纤准直器、所述第一掺饵光纤放大器、所述光调制器、所述第二掺饵光纤放大器及所述光电转换器覆盖有共同的工作频段。通过本发明提供的一种太赫兹噪声辐射源及成像系统，解决了现有的太赫兹噪声源功率较弱、无法进行高速电调制的问题。
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公开(公告)号：CN103928557B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410143655.4
申请日：2014-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的同心圆环光耦合器及制作方法，所述同心圆环光耦合器包括形成于器件材料表面的多级同心圆环以及覆盖于各所述同心圆环表面的反射金属层，所述多级同心圆环呈凹凸相间排列，各所述同心圆环的半径 rk=(2k-1)λ0/(4n)，其中，k为同心圆环对应的级数，λ0为太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应波长，n为太赫兹量子阱光电探测器的器件材料的折射率。本发明的同心圆环光耦合器可直接制作于器件表面，与现有常用的光栅结构光耦合器相比，本发明可实现会聚的功能，可有效提升器件有源区单位体积内的光强，从而实现器件性能的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN105606534A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510923123.7
申请日：2015-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/01
CPC classification number: G01N21/01 , G01N2021/0112
Abstract: 本发明提供一种太赫兹近场信号转换器，所述太赫兹近场信号转换器包括：近场耦合放大模块，适于将被测样品的太赫兹近场信号放大并转换为传输波；远场传输模块，适于将传输波收集并汇集至太赫兹探测器敏感元上进行探测。本发明太赫兹近场信号转换器具备将太赫兹近场信号转换为远场信号的功能，使太赫兹近场信号可以被普通远场探测器所探测，确保了近场信息不丢失，从而使测量结果精度和准确性得到改善；太赫兹近场信号转换器的使用无需采用相干探测技术，降低了测试系统复杂程度，提高了近场技术的可操作性。
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公开(公告)号：CN103454255B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310393494.X
申请日：2013-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹波扫描成像系统及方法，该系统至少包括：发散性太赫兹光源汇聚模块，用于将发散性太赫兹光源发射的太赫兹信号进行收集及汇聚，并将汇聚的太赫兹信号传输给共焦-滤波光路模块；共焦-滤波光路模块，用于对所述太赫兹信号进行滤波并采集样品信息，并将携带样品信息进行滤波后传输给太赫兹信号接收模块；太赫兹信号接收模块，用于提取携带样品信息的太赫兹信号后产生响应信号，该响应信号用于后续的图像还原。本发明的太赫兹波扫描成像系统及方法的获得的图像分辨率接近理论值，图像分辨率得到显著提高，对太赫兹波成像应用技术的发展和推广有重要意义。
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公开(公告)号：CN103887372B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410133488.5
申请日：2014-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的设计方法，包括：1）根据太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应频率在器件材料中的波长λp，设计刻蚀光栅的周期P，使P＝λp；2）计算在入射光照射下太赫兹量子阱光电探测器内部的电磁场分布；3）提取电磁场分布中对子带间跃迁有贡献的分量，并在有源区内对该分量的能量进行积分，得到有源区中对子带间跃迁有贡献的总能量It；4）设置不同的光栅高度h，计算在不同光栅高度h下的总能量It，选取总能量It最大时的光栅高度h作为刻蚀光栅的高度。本发明可有效提升太赫兹量子阱光电探测器在峰值响应频率点的性能，对高性能太赫兹量子阱光电探测器的实现及其成像应用具有重要的意义。
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