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公开(公告)号：CN109903800A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910196702.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质，包括：一检测单元，用于检测数据是否存在错误；一控制信号单元，获取来自所述相变储存器的第一存取参数设定值，根据所述第一存取参数设定值产生第一读取控制信号令所述相变储存器读取第一数据页面；当接收到所述校验单元校验第一数据页面存在错误而产生的检测错误信号时，根据第二存取参数设定值产生第二读取控制信号令所述相变储存器读取所述第一数据页面；其中，配置为所述第二存取参数设定值状态下的相变储存器的存取效率低于其配置为所述第一存取参数设定值状态。解决了因各个相变存储器的读取模式和参数不同使各端口匹配困难的问题，可以令端口实现自动匹配。
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公开(公告)号：CN112951295A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911178667.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质，其中，方法包括确定存储器施加有第一脉冲，第一脉冲用于控制存储器处于高阻状态，确定存储器施加有第二脉冲，第一脉冲的脉宽与第二脉冲的脉宽不一致，从低阻阻值集合中确定低阻状态对应的低阻阻值，根据低阻阻值确定存储器可存储的数据集合。基于本申请实施例，采用在存储器施加不同脉宽的第二脉冲，使得存储器处于低阻状态对应的低阻阻值不同，在稳定的低阻阻值时进行数据存储，能够实现数据的多级存储，相较于传统调节脉冲幅值的方法更易于实现，并且还能够降低芯片的设计难度。
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公开(公告)号：CN108648782B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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公开(公告)号：CN108648782A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810364565.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。
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