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公开(公告)号：CN112103158A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010848843.2
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种纳米二极管、其制备方法及其应用，所述方法包括以下步骤：S1：制备第二电极层：在衬底上处理第二电极材料形成第二电极层；S2：制备绝缘层：在所述第二电极层远离所述衬底一侧的表面上处理绝缘材料形成绝缘层；S3：制备第一电极层：在所述绝缘层远离所述第二电极层一侧的表面上处理第一电极材料形成第一电极层；S4：采用各向同性腐蚀工艺去除所述第一电极层和所述第二电极层之间的部分绝缘层，以使所述绝缘层不完全填充所述第一电极层和所述第二电极层之间的空间；本发明的纳米二极管不仅具有高功率和高频率响应优势，且同时具备低功耗、便于集成化的优点，符合未来集成电路的发展需求。
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公开(公告)号：CN110311695A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910232924.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无线通信全数字射频接收装置，包括射频脉冲宽度调制模数转换模块和多相数字下变频模块，所述射频脉冲宽度调制模数转换模块将接收下来的射频模拟信号通过脉冲宽度调制实现模拟信号的采样和量化，得到模拟输入的数字信号；所述多相数字下变频模块将所述数字信号和振荡信号多相分解为并行低速采样的多个子通道，对输入数据的每个通道进行下变换操作，利用多个子通道的并行下变频实现输入数字信号的下变频。本发明可提供的高模拟输入带宽和灵活性，实现高速采样信号等效下变频，简化接收机结构，降低成本和功耗。
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公开(公告)号：CN112951916B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110124217.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582371B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202011465265.0
申请日：2020-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维智能微系统芯片，主要包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；其中，第一芯片包括传感层。针对传统传感器(如MEMS)难以与CMOS集成的痛点，本发明将传感器、处理器、存储器通过晶圆级的集成封装可实现更高的集成密度，更好的鲁棒性，降低电气连接中的寄生电容，降低测试成本，是大阵列传感器实现的前提，数据在内部传输也降低了数据被窃取的风险；同时保持了多芯片方案更好的材料兼容性和更快的产品开发周期的优点。
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公开(公告)号：CN111725040B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910769141.2
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用的方法为聚焦离子束刻蚀。本申请所述的场发射晶体管的制备方法，可实现阵列式的发射尖端，有利于提高整体发射电流和电流稳定性。且经过聚焦离子束刻蚀可以形成更小的发射尖端，局部电场增强作用更好。
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公开(公告)号：CN112951916A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110124217.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
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公开(公告)号：CN111725040A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910769141.2
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用的方法为聚焦离子束刻蚀。本申请所述的场发射晶体管的制备方法，可实现阵列式的发射尖端，有利于提高整体发射电流和电流稳定性。且经过聚焦离子束刻蚀可以形成更小的发射尖端，局部电场增强作用更好。
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