一种适用于三元CuInS2量子点的通用型壳层修饰方法

    公开(公告)号:CN118325600A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410470037.4

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种通用型CuInS2/ZnS核壳量子点的制备方法。本发明分两步进行:第一步利用高活性锌源在低温下(120‑200℃)对CuInS2量子点进行合金化处理;第二步利用低活性锌源配合活性较弱的硫源在高温下(200‑240℃)对合金化后的CuInS2量子点进行壳层修饰。合金化过程能够有效抑制晶体内部缺陷的形成,配合宽禁带壳层修饰手段,可以制备出稳定高亮的CuInS2/ZnS核壳量子点。本发明工艺简单,重复性良好,适用于具有不同尺寸、不同形貌、不同化学组分以及不同晶体结构的CuInS2量子点的表面壳层修饰;同时,制备的CuInS2/ZnS核壳量子点形貌均一,壳层厚度可控,荧光量子产率高达50~80%,可广泛用于照明显示、光伏器件、生物成像等热门领域。

    具有良好电催化产氢性能的超薄单层金属性二硒化钒纳米片的宏量制备方法

    公开(公告)号:CN106629845A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201610813270.3

    申请日:2016-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种利用溶剂热法宏量制备具有金属性的超薄单层二硒化钒纳米片的制备方法。通过调控反应温度、反应溶剂以及反应硒源来得到相应XRD里没有杂峰的二硒化钒纳米晶体,再通过调控反应时间控制硒化钒纳米片的形貌,得到均一单层纳米片并由超薄单层向两层、三层生长。本发明制备方法工艺简单、易操作,整个反应过程不需要特殊设备,利于一步法合成生产硒化钒纳米片。最终得到了具有良好电催化产氢性能的超薄单层金属性二硒化钒纳米片,电阻达到2Ω,在电流密度为10mA/cm2时析氢电位可达到204mV。本发明制备的材料是一种具有广泛商业化应用前景的电催化产氢材料。

    一种新型的用于光电催化材料烘干的圆形烘干装置

    公开(公告)号:CN219199929U

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202222894307.3

    申请日:2022-11-01

    Abstract: 本实用新型涉及一种新型的用于光电催化材料烘干的圆形烘干装置,包括圆形盖子主体、盖子透气孔、盖子边缘、圆形壳体、壳体底部排水孔、圆柱支脚结构。当导电玻璃被清洗干净后,轻轻地放入圆形壳体中,然后盖上盖子直接放入干燥箱进行烘干。本实用新型的优点是:首先,导电玻璃上的液体可以顺利及时排出,这样避免了导电玻璃在干燥完毕的时候与壳体底部凝结在一起难以取出的情况发生;其次,可以满足不同型号的大规格的导电玻璃的烘干,使用比较灵活;最后,由于盖子透气孔的存在,避免了常规操作情况下锡箔纸扎孔掉落杂质污染样品的情况的发生,同时大大提升了烘干速率。

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