一种砂质高岭土基堇青石微晶玻璃材料及其低温制备方法

    公开(公告)号:CN106477895A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610962973.2

    申请日:2016-11-04

    CPC classification number: C03C10/0045 C03B32/02 C03C1/00

    Abstract: 一种砂质高岭土基堇青石微晶玻璃由以下质量百分比的原料制成:砂质高岭土25-50%,铝氧化物20-26%,硅氧化物7-28%,镁氧化物10-15%,助剂5-7%。本发明还包括砂质高岭土基堇青石微晶玻璃材料的制备方法。本发明之微晶玻璃仅包含单一物相,为α-堇青石相,属于镁铝硅体系,物理性能好;本发明之制备方法工艺流程简单,原料来源丰富,利用天然砂质高岭土中硅铝元素作为堇青石微晶玻璃的元素来源,无需除沙和提纯,不产生尾矿,节约能源,保护环境;同时砂质高岭土中的杂质成分充当助剂,能降低烧结温度,有利于减少孔隙,促进α-堇青石相的生成,推动低温共烧的实现,对工业化生产具有重要意义。

    红外非线性光学晶体材料碲钼酸锰及其生长方法与用途

    公开(公告)号:CN102839423B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210339966.9

    申请日:2012-09-14

    Inventor: 李珍 金成国 李飞

    Abstract: 本发明提供一种新型红外非线性光学晶体材料碲钼酸锰及其生长方法与用途,其化学式为MnTeMoO6,粉末倍频效应为0.7×KTP,晶体红外波段透过范围为:2.5μm~5.3μm和5.5μm~6.5μm,晶体的熔点为735.6℃,空间群为P21212。该晶体材料采用顶部籽晶法生长,以TeO2和MoO3作为助溶剂,生长原料为摩尔比为1:2:2的MnTeMoO6粉体、TeO2和MoO3,或者摩尔比为1:3:3的MnO、TeO2和MoO3。该MnTeMoO6多晶粉体具有较大的倍频效应,不潮解,不溶于水,不溶于稀盐酸,物理化学性能稳定,可应用于医疗、核聚变、激光武器、光通讯、光存储等方面。

    一种钾长石尾矿免烧砖及其制备方法

    公开(公告)号:CN103319143A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310226637.8

    申请日:2013-06-07

    CPC classification number: Y02W30/93

    Abstract: 本发明属于建筑材料和环保领域,公开了一种钾长石尾矿免烧砖及其制备方法。该免烧砖的组分及其含量为:钾长石尾矿85-90%,化学活化剂0.4-1%,水玻璃8-12%,碱性激活剂0.8-2%。免烧砖的制备方法为:(1)将尾矿中粒度为100目筛上的颗粒作为粗骨料,其余则粉碎至250目筛下作为细骨料;(2)粗骨料和细骨料按质量比混合后,然后加入化学活化剂,室温下放置24小时化学活化;再加入水玻璃和碱性激活剂搅拌混合均匀;(3)模压成型、室温或低温养护后,得到免烧砖成品。本发明实现了减少尾矿污染和尾矿再利用的目的,制备工艺简单,生产成本低,免烧砖的性能达到国家建材行业标准要求。

    一种刺球状光致变色MoO3薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103288138A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310179386.2

    申请日:2013-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种刺球状光致变色MoO3薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)配制0.05~3mol/L的钼酸盐溶液;(2)加入甲醛溶液于钼酸盐溶液中,用pH调节剂调节溶液pH至0.8~1.5,避光搅拌均化;(3)将均化后的反应溶液移至反应容器中,放入洗净的透明导电氧化物晶体基片,进行水热反应;(4)水热反应结束后,将反应体系冷却至室温后,将已镀膜的晶体基片从水热反应的容器中取出,水洗、醇洗、干燥后,即制得刺球状光致变色MoO3薄膜。本发明制得的MoO3薄膜在低功率的激发光源条件下能够产生良好的变色效果,改善了MoO3薄膜的光致变色性能。

    红外非线性光学晶体材料碲钼酸锰及其生长方法与用途

    公开(公告)号:CN102839423A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201210339966.9

    申请日:2012-09-14

    Inventor: 李珍 金成国 李飞

    Abstract: 本发明提供一种新型红外非线性光学晶体材料碲钼酸锰及其生长方法与用途,其化学式为MnTeMoO6,粉末倍频效应为0.7×KTP,晶体红外波段透过范围为:2.5μm~5.3μm和5.5μm~6.5μm,晶体的熔点为735.6℃,空间群为P21212。该晶体材料采用顶部籽晶法生长,以TeO2和MoO3作为助溶剂,生长原料为摩尔比为1:2:2的MnTeMoO6粉体、TeO2和MoO3,或者摩尔比为1:3:3的MnO、TeO2和MoO3。该MnTeMoO6多晶粉体具有较大的倍频效应,不潮解,不溶于水,不溶于稀盐酸,物理化学性能稳定,可应用于医疗、核聚变、激光武器、光通讯、光存储等方面。

    一种利用天然沸石制备白色陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN102351520B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201110185844.4

    申请日:2011-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种利用天然沸石制备白色陶瓷的方法。一种利用天然沸石制备白色陶瓷的方法,其特征在于它包括如下步骤:1)将天然沸石破碎,研磨至100目,得到沸石粉;2)采用下述二种方法之一制备改性沸石粉:①按沸石粉、氯化钠、氢氧化钠和水的质量比为10∶(0.6~10)∶(2~10)∶30~45,混合,加热并搅拌12h,然后静止48h,水洗,烘干,得到改性沸石粉;②按沸石粉、烧碱工业中的废碱液和水的质量比为(10~15)∶(6~12)∶45,混合,加热并搅拌12h,然后静止48h,水洗,烘干,得到改性沸石粉;3)按改性沸石粉为沸石粉和改性沸石粉质量的10%~90%,将沸石粉和改性沸石粉混合,压片成型,高温烧结,得到白色陶瓷。该方法制备的白色陶瓷的R457白度值高、耐酸度高、耐碱度高、肖氏硬度高。

    一种具有敏感光致变色性能的MoO3纳米杆粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101531401B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200910061584.2

    申请日:2009-04-14

    Abstract: 本发明公开了一种具有敏感光致变色性能的MoO3纳米杆粉体的制备方法,是将0.05~3.5mol/L的钼酸盐水溶液采用离子交换法制成钼酸水溶液,接着用盐酸将其pH值调为0.1~2.0;在搅拌条件下向该钼酸水溶液中加入质量百分比浓度为8~15%的草酸溶液,钼酸水溶液与草酸溶液的体积比为1∶0.04~0.20,然后搅拌、均化;将均化后的体系于80~160℃水热反应1~4天,然后将反应产物清洗干净,于50~80℃干燥即得到MoO3纳米杆粉体。采用本发明方法制得的MoO3纳米杆粉体具有更大的比表面积和更好的分散性,光致变色反应敏感性高,在日光或低功率紫外灯照射下即可发生光致变色,且能在常态无光条件下退色。

    电气石红外辐射地聚物材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101607813A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910063207.2

    申请日:2009-07-17

    CPC classification number: Y02P40/165

    Abstract: 本发明涉及一种红外辐射材料及其制备方法,特别是利用电气石制得的红外辐射地聚物材料及其制备方法。电气石红外辐射地聚物材料通过以下方法制备:(1)配制模数为1-3.5的水玻璃溶液;(2)混合电气石粉与水玻璃溶液,搅拌2-50h;(3)将搅拌后的混合物以模具成型,干燥;(4)2-30h后,拆除模具;(5)将成型的混合物进行养护,得到电气石红外辐射地聚物材料。本发明的有益效果是:(1)以水玻璃为激发剂,使电气石粉体颗粒被硅氧化合物包覆交联,形成地聚物,具有良好的机械性能;(2)制备的红外辐射地聚物材料红外发射率优于纯电气石粉体;(3)采用不同的模具,可以得到不同形状的电气石红外辐射地聚物材料,适用性强。

    片状重质碳酸钙的制备方法

    公开(公告)号:CN1359986A

    公开(公告)日:2002-07-24

    申请号:CN01138364.X

    申请日:2001-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种片状重质碳酸钙的制备方法:选择构造蚀变型方解石、粗晶大理岩的任何一种,按照下列步骤进行制造:(1)、原料干法粉碎,(2)、调浆,(3)、湿法超细研磨,(4)、超细研磨后处理(压滤成饼、干燥),其特征在于在湿法超细研磨过程中,采用剥片机为湿法超细磨,料浆浓度为50-75wt%,以氧化锆球、氧化铝球为研磨介质,球的直径为φ0.5mm-2mm,φ0.5mm-1.2mm球与φ1.5mm-2mm球质量比为1∶3-2∶1,研磨时间为30分钟-60分钟。得到的片状重质碳酸钙粒径小于2微米的含量为90-97%,片的径厚比大于5∶1,它具有成本低、无毒性、不对环境产生污染的特点。

    氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用

    公开(公告)号:CN115849450A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211648488.X

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 本发明提供了一种氧化钨同质结气敏材料的制备方法、气敏传感器及应用。本发明的制备方法,利用水热反应及后续退火制备得到具有同质结的氧化钨复合材料;由正交相WO3·0.33H2O和六方相三氧化钨形成的同质结气敏材料,在相界面处自由电子由六方相向正交相转移,直到他们的费米能级达到平衡,在正交相一侧形成电子积累层,六方相一侧形成电子耗尽层,界面处构成了n‑n同质结。正交相一侧的电子积累层利于吸附更多氧形成氧负离子与气体进行反应,有助于提高其对气体的灵敏度,并整体提高气体传感器的性能;而且,这种面内的同质结有助于提高载流子传输速率,从而提升与气体进行反应的速率,从而整体提升其对气体的检测性能。

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