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公开(公告)号：CN112735494B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110001459.3
申请日：2021-01-04
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明实施例公开了忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质，方法包括：步骤1、确定忆阻器的第一阻值，若第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；步骤2、执行电铸；步骤3、判断电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；步骤4、确定忆阻器的第二阻值；步骤5、若第二阻值处于目标阻值区域外，则执行阻值调制；步骤6、确定忆阻器的第三阻值；步骤7、若第三阻值处于目标阻值区域内，则进行阻值校验，若阻值校验成功，则完成阻值调控。本方案实现了逐步将忆阻器的阻值逼近目标阻值的效果。
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公开(公告)号：CN108494403B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810252368.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及一种双通道TIADC采样保持电路失配自适应校准方法。在重建输出信号模2准平稳特性的过程中估计失配参数，采用变量乘法器和微分器重构失配误差，利用理查德森迭代增强校准性能。本方法提高了频谱利用效率，并没有显著增加滤波器设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN112735494A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110001459.3
申请日：2021-01-04
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明实施例公开了忆阻器阻值调控方法、装置、计算机终端及存储介质，方法包括：步骤1、确定忆阻器的第一阻值，若第一阻值大于预设阈值，则执行步骤2；步骤2、执行电铸；步骤3、判断电铸是否成功，若所述电铸成功，则执行步骤4；步骤4、确定忆阻器的第二阻值；步骤5、若第二阻值处于目标阻值区域外，则执行阻值调制；步骤6、确定忆阻器的第三阻值；步骤7、若第三阻值处于目标阻值区域内，则进行阻值校验，若阻值校验成功，则完成阻值调控。本方案实现了逐步将忆阻器的阻值逼近目标阻值的效果。
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公开(公告)号：CN111680792A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010559489.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 刘森 , 李清江 , 宋兵 , 李锟 , 孙毅 , 王伟 , 于红旗 , 李楠 , 刘海军 , 李智炜 , 陈长林 , 王义楠 , 步凯 , 王玺 , 曹荣荣 , 徐晖 , 刁节涛
Abstract: 本申请提供一种激活函数电路、忆阻神经网络及忆阻神经网络的控制方法，涉及忆阻器技术领域。该电路可以包络：运算放大器、忆阻器，其中：该运算放大器的同相输入端接地，该运算放大器的反相输入端与前级忆阻交叉阵列中一个输出端连接；该运算放大器的输出端与后级忆阻交叉阵列的一个输入端连接，该运算放大器的反相输入端通过该忆阻器与该运算放大器的输出端连接；该忆阻器还连接激励电源，用以向该忆阻器提供激励电压，调整该忆阻器的阻值。应用本发明实施例，可以提高该忆阻神经网络的运算速度。
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公开(公告)号：CN111476356A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010390038.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本申请提供一种忆阻神经网络的训练方法、装置、设备及存储介质，涉及硬件神经网络技术领域。该方法包括：对忆阻交叉阵列进行读写操作，确定忆阻交叉阵列中的已损坏忆阻单元；根据已损坏忆阻单元在忆阻交叉阵列中的位置，确定已损坏忆阻单元的目标阻态模式；根据目标阻态模式，采用预设的权值网络算法进行训练，得到忆阻交叉阵列的权值集合，权值集合中每个权值参数对应一个忆阻单元，权值集合中已损坏忆阻单元对应的权值参数为：目标阻态模式对应的权值参数。本申请可在考虑忆阻交叉阵列的良率即已损坏忆阻单元的情况下，实现忆阻神经网络的训练，提高忆阻神经网络计算精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111277267A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010147302.7
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请实施例提供一种双通道TIADC的时延失配补偿方法、装置及电子设备，该方法包括获取双通道TIADC的输出信号，所述输出信号中包括两个通道的数据序列；根据双通道TIADC的时延失配系数确定所述两个通道的补偿分配值；将所述双通道TIADC的输出信号作为待补偿信号，基于所述两个通道的补偿分配值确定所述待补偿信号的失配误差序列；根据所述失配误差序列分别对所述待补偿信号的两个通道的数据序列进行补偿，以使所述两个通道相互匹配。以此可以改善现有技术中对于双通道TIADC的时延失配进行补偿后动态性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN119497415A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411556109.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 刘森 , 郭旭 , 杨彭 , 李清江 , 陈长林 , 刘海军 , 宋兵 , 李智炜 , 曹荣荣 , 王伟 , 王义楠 , 孙毅 , 李楠 , 王玺 , 于红旗 , 徐晖 , 刁节涛
Abstract: 本发明公开了一种异质电子突触器件及其制备方法与应用，属于半导体器件技术领域。该异质电子突触器件包括衬底、连接层、功能层、沟道层、漏极、源极、第一栅极以及第二栅极；连接层设置于衬底的部分表面；功能层叠设于连接层的表面并将衬底剩余的表面覆盖；功能层包括相连的作为介质层的第一区域和作为铁电层的第二区域，其中，第一区域与第一栅极连接，第二区域与第二栅极连接；沟道层设置于功能层的表面且位于源极和漏极之间。该异质电子突触器件横向集成第一栅极和第二栅极的协同相互作用，具有完全电调制能力，成功模拟了生物神经系统中异突触可塑性，有效满足先进的神经形态计算的需求。其制备方法简单，易操作。
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公开(公告)号：CN118485111A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410618901.0
申请日：2024-05-17
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 王义楠 , 陈长林 , 吴家栋 , 卢伦 , 李清江 , 李智炜 , 宋兵 , 徐晖 , 刁节涛 , 于红旗 , 刘海军 , 刘森 , 王玺 , 王伟 , 曹荣荣 , 孙毅 , 李楠 , 步凯 , 孙振源
IPC: G06N3/0464 , G06N3/049 , G06N3/063
Abstract: 本申请涉及脉冲神经网络的卷积资源调度装置、方法和设备，通过针对残差SNN网络中的脉冲残差模块之一核心模块，在FPGA芯片上进行硬件实现并加速，配合片外的DDR内存设计了新的脉冲神经网络的卷积资源调度装置整体实现方案，结合SNN多时间步计算的特点，设计了一次性缓存单个时间步图像，按通道分批复用计算资源来完成宽通道卷积计算的技术手段，来克服SNN网络算法中卷积通道数过大的问题，减少了从DDR读取权重的次数并确保脉冲残差模块中流水计算畅通，使得残差SNN网络中的脉冲残差模块的数据计算速度得到显著提升，而功耗大幅降低，大幅提高了数据处理加速性能。
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公开(公告)号：CN117250777A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311216246.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 孙振源 , 宋兵 , 李清江 , 郝欣萌 , 徐晖 , 刘森 , 王伟 , 刘海军 , 曹荣荣 , 王义楠 , 陈长林 , 李智炜 , 刁节涛 , 王玺 , 于红旗 , 王琴 , 步凯 , 李楠
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提出一种微环相变突触器件及其三维空间光调制方法、装置，微环相变突触器件包括衬底、直波导和环形波导，所述环形波导位于直波导的一侧，所述环形波导与直波导之间具有耦合距离，在所述环形波导的至少一处覆盖有相变层，所述相变层的相变材料为Ge2Sb2Te5。通过三维空间光调制微环相变突触器件其相变材料的晶化状态，实现通过光纤直接从顶部照射相变材料的方式对器件进行加热调制，使微环相变突触器件的状态实现切换。与电调相比，本发明大大优化了测试结构。与波导光调制方法相比，利用三维空间光调制方法对相变材料进行调制大大简化了调制光路，减小了调制难度，并能够实现多态，达到了光突触的多值要求。
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公开(公告)号：CN117042461A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311055510.4
申请日：2023-08-21
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Inventor： 刘森 , 余世豪 , 李清江 , 宋兵 , 王琴 , 孙振源 , 曹荣荣 , 王义楠 , 刘海军 , 陈长林 , 王伟 , 李智炜 , 步凯 , 李楠 , 王玺 , 于红旗 , 刁节涛 , 徐晖
Abstract: 本发明涉及一种铁电晶体管单元和制备方法，通过利用硅基MOSFET元件，以及在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极设计所需单元结构，在介电层中，采用金属氧化物材料层这一普通介电层来分隔两铪基铁电材料层，以便在退火时在第一介电层和第三介电层中形成更小的晶粒，减小退火后铁电相的尺寸；同时，设计第二介电层的热膨胀系数要小于第一介电层和第三介电层，这样的热膨胀系数的调控，可以在退火的过程中形成层内的应力，以便在第一介电层和第三介电层中形成更多的铁电相晶粒，从而维持或者提升器件整体的剩余极化量，从而有效满足的多值非易失存储和存算一体技术的需求。
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