公开(公告)号：CN110581186A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910881040.4

申请日：2019-09-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  龙林云 ,  李滔 ,  胡泽林

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1-XN基紫外光吸收层和叉指电极；所述叉指电极与AlXGa1-XN基紫外光吸收层形成肖特基接触；所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括：首先在衬底的正面外延生长AlXGa1-XN基紫外光吸收层；然后在AlXGa1-XN紫外光吸收层上制备叉指电极；再在衬底的背面进行研磨，得到光滑平整背面；最后在光滑平整背面制作微纳结构，得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉，提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。

公开(公告)号：CN110571317A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910881409.1

申请日：2019-09-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  龙林云 ,  万荣桥 ,  胡泽林 ,  高祥

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法，器件包括衬底一和LED外延材料；LED外延材料由上至下依次包括p-GaN层、MQW层和n-GaN层；p-GaN层与MQW层的宽度相等且小于n-GaN层的宽度，n-GaN层的厚度从上至下逐渐增加，形成倾斜侧壁台阶结构；n-GaN层的下表面设有微纳结构；LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括：制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构，完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。