一种具有阶梯光栅反射镜的波导耦合器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103033877A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210574567.0

    申请日:2012-12-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯光栅反射镜的波导耦合器,包括衬底、缓冲层、波导、锥形波导、光栅反射镜和光纤,光栅反射镜的反射面设有阶梯光栅,缓冲层固定连接在衬底的顶面,波导、锥形波导和光栅反射镜固定连接在缓冲层的顶面,锥形波导的高度等于波导的高度,锥形波导的一端为窄端,锥形波导的另一端为宽端,且锥形波导的窄端与波导的输入端固定连接,锥形波导的宽端与光栅反射镜的反射面相对,光纤竖直放置,光纤位于光栅反射镜的上方,且光纤的输出端与光栅反射镜的反射面相对。该波导耦合器可使光纤和波导实现高效耦合,具有较大的对准容差。同时,本发明还公开了该波导耦合器的制备方法,该方法简单,且与MOS工艺兼容。

    一种砷化镓基光子晶体发光二级管的制备方法

    公开(公告)号:CN103022283A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210576220.X

    申请日:2012-12-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基光子晶体发光二级管的制备方法,包括步骤10)清洗烘干砷化镓基发光二级管外延片;步骤20)将外延片倒置;步骤30)电镀键合材料层;步骤40)剥离蓝宝石衬底层;步骤50)氮化硅层顶面旋涂光刻胶层;步骤60)将掩模板图形转换到光刻胶层;步骤70)刻蚀氮化硅层,形成第一目标片;步骤80)在第一目标片上蒸镀金属层,形成第二目标片;步骤90)第二目标片置于氢氟酸溶液中,制成第三目标片;步骤100)第三目标片静置于器皿和溶液中,制成第四目标片;步骤110)第四目标片置于王水中,制成第五目标片;步骤120)制作电极,制成发光二级管。该制备方法提高了发光二极管光子晶体表面平整度和质量。

    一种三维立体光波导过渡接入装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN110646881A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910879572.4

    申请日:2019-09-18

    Abstract: 本发明公开了一种三维立体光波导过渡接入装置及其制备方法,所述三维立体光波导过渡接入装置包括:衬底、固定在衬底上的透明框架、透明框架内的包层和设置在包层中用于光传播和转换光模斑的波导芯层。所述波导芯层由两层平行排列的“S”形弯曲锥形波导阵列构成,其形状上下对称,间隔设置。所述“S”形弯曲锥形波导阵列的宽端与光纤阵列连接,窄端与光子集成波导阵列对准。本发明可以实现紧密排列的双层波导阵列与标准光纤阵列的高效耦合,有效地解决了立体层间波导的耦合问题。此外,本发明的制备方法具有工艺简单,易于实现,可控性强等优点,极大程度上降低了生产成本。

    一种1×N分波/合波器优化方法

    公开(公告)号:CN106599465A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611151333.X

    申请日:2016-12-13

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种1×N分波/合波器优化方法,包括:步骤1确定1×N分波/合波器的性能要求、尺寸要求和工艺条件,步骤2用有限元法进行模式分析,确定输入、输出波导的宽度和矩形耦合区域的初始宽度,从几何库中选择可用刻蚀基元的形状及尺寸,步骤3确定矩形耦合区域的优化尺寸参数和优化次数,分别对各优化尺寸参数下的矩形耦合区域进行优化,然后计算波谱目标函数的值,将波谱目标函数值最小的优化尺寸参数作为矩形耦合区域的尺寸参数,步骤4根据可用刻蚀基元的形状及尺寸,将矩形耦合区域划分为若干个正方形网格,在矩形耦合区域上按照由右向左、由中间向两边的方式确定每个正方形网格的处理方案,最终确定矩形耦合区域的几何结构。

    一种基于级联马赫-曾德干涉仪型可重构梳状滤波器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103399378B

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201310336252.7

    申请日:2013-08-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种基于级联马赫-曾德干涉仪型可重构梳状滤波器及其制备方法,包括:平面光波光路PLC芯片和第一光纤阵列和第二光纤阵列,所述平面光波光路PLC芯片包括:硅衬底,在硅衬底上设有二氧化硅缓冲层,在二氧化硅缓冲层上设有波导,在波导上设有覆盖层,所述波导包括输入级Y分支、第一长度固定臂和第二长度固定臂、第一开放臂、第二开放臂、第三开放臂、和第四开放臂、第一级3dB耦合器、第二级3dB耦合器和输出级3dB耦合器。制备方法为:在硅衬底上制备缓冲层、波导,得到PLC芯片部分,切片研磨后和光纤阵列耦合,最后将相应的光纤连接。本发明可以实现可重构、相位精细可调、平顶型滤波、低非线性输出。

    一种单光源植入式神经多点同步交互芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN103035774B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201210591084.1

    申请日:2012-12-31

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种单光源植入式神经多点同步交互芯片,包括衬底、中部设有记录电路层的第一绝缘隔离层、第二绝缘隔离层、激励光路层和单光源发射模块;第一绝缘隔离层包覆在记录电路层的表面,激励光路层固定连接在第一绝缘隔离层顶面;第一绝缘隔离层和激励光路层形成交互层,该交互层相对的两端分别为伸出衬底边缘的伸出端,第二绝缘隔离层固定连接在衬底的底面和交互层两个伸出端的底面,单光源发射模块位于交互层上;交互层的一个伸出端形成梳齿状探针组。该结构的芯片通过引入分束式多点激励探头减少了所需光源数量,降低了能耗与发热量,提高了持续工作的稳定性。同时,本发明还公开了该芯片的制备方法,该制备方法简单易行。

    刻蚀高深度光波导的制备工艺

    公开(公告)号:CN102866458B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210296470.8

    申请日:2012-08-20

    Abstract: 一种刻蚀高深度光波导的制备工艺,包括以下步骤:1)用沉积法,在衬底上制备掺杂的芯层,形成平板光波导;2)用光刻工艺,在步骤1)制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模;3)用溅射工艺,在步骤2)获取的样品表面制备金属掩模;4)清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模;5)用光刻工艺,在步骤4)制作的金属掩模层上,再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层;6)使用RIE设备,通入SF4、CHF3、O2、He气体,制作光波导芯层;7)制作上包层。与标准工艺相比,这种方法可利用普通反应离子刻蚀设备制作高深度光波导,且制作的光波导具有垂直的侧壁,侧壁角度大于87度,小于93度。

    非对称相位可调马赫-曾德干涉仪及其制备方法

    公开(公告)号:CN103268001A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201310216575.2

    申请日:2013-05-31

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 孙小菡 蒋卫锋

    Abstract: 一种非对称相位可调马赫-曾德干涉仪及其制备方法,干涉仪包括平面光波光路PLC芯片和外接导光臂,平面光波光路PLC芯片包括硅衬底,在硅衬底上设有二氧化硅缓冲层,在二氧化硅缓冲层上设有波导层,波导层上设有覆盖层,所述波导层包括输入级3dB耦合器、两个开放臂、一个长度固定臂及输出级3dB耦合器。制备方法为:在硅衬底上制备缓冲层,在缓冲层制备波导层并光刻和刻蚀,制备非对称相位可调马赫-曾德干涉仪的PLC芯片部分,切片研磨,再将单模光纤阵列和PLC芯片的开放臂进行耦合,进而和干涉仪的输入端和输出端进行耦合。本发明可以实现相位精细可调,且结构紧凑、简单和稳定性高。

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