公开(公告)号：CN111682067A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010577585.9

申请日：2020-06-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  田勇 ,  胡国华 ,  崔一平

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管，芯片层结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、第一电流阻挡层、N-GaN横向耗尽区、第二电流阻挡层、GaN沟道层，AlxGa1-xN势垒层，以及设置在所述N-GaN横向耗尽区右侧和所述GaN沟道层右侧的绝缘层，其中0

公开(公告)号：CN104865639A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510224339.4

申请日：2015-05-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙小菡 ,  吕涛 ,  蒋卫锋 ,  田勇 ,  崔晗 ,  李元

IPC: G02B6/125 ,  G02B6/293

CPC classification number: G02B6/125 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/29334 ,  G02B6/29338 ,  G02B2006/12107

Abstract: 本发明公开了一种基于可调光栅型微环的三维集成光功分/波分器，包括硅衬底、四层二氧化硅缓冲层、三层波导、可调光栅型微环谐振器、覆盖层以及压电材料，压电材料位于光栅上方，波导包括一根输入波导，六根输出波导，关于微环上下对称的两根输出波导传输同一种波长，且功率相同，三组输出波导共传输三种波长。本发明能够同时实现波分和功分功能，且可通过调节压电材料改变光栅参数，进而提高输出特性。