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公开(公告)号:CN106549110A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201610970298.8
申请日:2016-11-07
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L51/5072 , B82Y30/00 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开了一种高效蓝光量子点发光二极管及其制备方法,该二极管包括基底上形成的阴极,电子传输层,表面修饰层,量子点发光层,空穴传输层,空穴注入层和阳极,所述阴极置于底层,由下至上依次是电子传输层,表面修饰层,量子点发光层,空穴传输层,空穴注入层和阳极;所述表面修饰层通过修饰下面电子传输层的能带结构来平衡量子点发光二极管中电子和空穴的注入,提高器件的发光效率。本发明有效提升了器件的发光效率,提高了器件的使用寿命等性能。
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公开(公告)号:CN118379943A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410445814.X
申请日:2024-04-15
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种Mini‑LED分区背光显示屏幕的最大光晕测量的方法与系统。具体包括如下步骤:首先搭建暗环境下光晕测量装置,其次采用最优显示白盒尺寸寻优方法找到显示白盒获得最大亮度时对应的显示白盒尺寸,然后采用最优显示白盒位置寻优模块找到显示白盒获得最大光晕宽度时对应的显示白盒位置,再对找到的最大光晕效应情况在暗环境下进行测量,最后模拟复现二维光晕场分布得到光晕效应对应的最大光晕亮度和最大光晕宽度。采用本发明方法后,可对任一款Mini‑LED显示屏找寻到最大光晕情况并进行测量,同时对静态光晕进行量化分析,从而有效提高Mini‑LED显示屏光晕效应测试的精密度和准确性。
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公开(公告)号:CN117740336A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311835239.6
申请日:2023-12-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种Mini‑LED显示屏的动态光晕测量方法及系统,系统包括由底板、高速相机及其固定轴系组件构成的硬件部分,以及控制高速相机运动和光晕计算显示的软件部分。被测显示屏幕置于大理石底板表面,摆放位置确定后控制轴系运动使得被测屏幕完整出现在高速相机的视野中。随后在被测显示屏幕中播放预制测试动画,通过相机拍摄后经软件分析显示屏幕的灰度分布进而获得光晕分布。本发明可对被测产品动态显示过程中任意像素点的光晕分布进行测量,从而为Mini‑LED屏幕显示效果的评价及改进提供数据支撑。本发明通用性强,可适应多种尺寸的显示屏幕。
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公开(公告)号:CN119630155A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411724431.2
申请日:2024-11-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
Inventor: 潘江涌 , 陆佳 , 沈润杰 , 丁文浩 , 高正浩 , 魏宇炀 , 陈名湛 , 汪丽茜 , 吕俊鹏 , 苏志成 , 张宇宁 , 苏玉民 , 沈忠文 , 苏中方 , 周玮琦 , 梅泽 , 何乃龙
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10K59/90 , H10K59/80 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法。Micro‑LED的结构包括分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成,并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜,用于将蓝光转换为所需颜色,实现更广泛的色域。其中,在电子传输层上添加了双官能团醚进行优化。本研究不仅能够解决传统技术中存在的多个问题,还可显著提升器件的发光效率和环境稳定性,为下一代高性能Micro‑LED的开发提供了新颖而有前景的技术解决方案。
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公开(公告)号:CN119317289A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202411406461.9
申请日:2024-10-10
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
IPC: H10H29/851 , H10H20/84 , H10H29/01 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开一种基于双配体策略的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法,Micro‑LED的结构包括:分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成,并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含:玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜,用于将蓝光转换为所需的颜色,实现更广泛的色域。钙钛矿量子点层的发光材料为CsPbX3+PEABr+含氟取代苯基酮,其中X为卤素元素Br、I、Cl。本发明不仅可以解决传统技术中的诸多问题,还能够显著提升器件的发光效率和环境稳定性,为下一代高性Micro‑LED的开发提供新的技术解决方案和广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN119194384A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411340430.8
申请日:2024-09-25
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能Micro‑LED表面介质薄膜的制备方法,针对未经处理的Micro‑LED玻璃盖板表面反射率高和影响对比度的问题,利用光学薄膜模拟分析,对Micro‑LED表面膜层的结构进行优化,并在不同工艺参数下制备结构相同的多层膜,使用可见光分光光度计、原子力显微镜和显微硬度计对实验制备的膜层进行表征。本发明方法进一步对多层减反射膜的制备工艺进行优化,得到最优工艺参数并对其进行验证,制备出硬度较高的多层减反射膜,从而实现提高Micro‑LED的发光亮度和对比度的同时还具备保护其表面的效果,该方法在Micro‑LED显示和投影应用上提供巨大的帮助。
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