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公开(公告)号：CN116559544A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310439446.3
申请日：2023-04-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及纳米级薄膜电学性能测试技术领域，特别是涉及一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法。包括如下步骤：S1：在待测试薄膜表面制备电极，并与待测试薄膜组成电容器；S2：使用探针台将电极与网络分析仪进行连接，并在连接前对电路进行阻抗匹配；S3：测量待测薄膜在不同频率下的谐振频率及该谐振频率下的S21参数；S4：利用S3测试出的S参数，计算出不同频率下薄膜的电容与Q值；S5：利用S4所得出的电容，计算出不同频率下薄膜的介电常数。本发明具有可以同时测出薄膜Q值的优势；并且可以在GHz频率下测试，具有测试频率高的优势。本发明实现了对纳米级薄膜介质介电常数和Q值的同时测试，具有测试结果准，测试频率高的特点。
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公开(公告)号：CN116313525A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310439467.5
申请日：2023-04-23
Applicant: 东南大学
IPC: H01G7/06
Abstract: 本发明涉及变容器技术领域，特别是涉及一种具有高电容可调性的金属铁电半导体可调电容的制备方法。其包括S1：将待溅射半导体基片进行清洗与吹干后，把基片安置在溅射台上；S2：将真空室内的靶材角度调整到预设角度，同步调节靶材到基板的距离到预设距离；S3：对真空室进行抽真空，到达指定的本底真空；S4：将基片加热指定工作温度，并保持该温度直到基底受热均匀；S5：调整工作环境的气体比例与气压，在基片上溅射铁电薄膜；S6：完成薄膜溅射后，加热基片至退火温度，在氧气环境下退火；S7：等待器件自然冷却后，在铁电薄膜一侧制备上电极。本发明工艺简单，设备简易，成本低，可大批量生产，在可调声学器件、MFS晶体管等领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113820016B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110953030.4
申请日：2021-08-19
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/48
Abstract: 本发明提供了一种相位调制热波信号全变分去噪方法，该方法利用稀疏优化原理对相位调制热波信号进行降噪。将红外热像仪测得的相位调制热波信号建模为可稀疏或稀疏导数表示的热波分量和噪声信号，并可根据1‑范数定义转化为成本函数不可微的无约束最小化问题，并利用最大‑最小迭代优化算法进行求解，以从含噪声热波信号中重构可稀疏或稀疏导数表示的热波分量，进而实现对相位调制热波信号进行降噪的目的。此外，由于所引入的最大‑最小迭代算法利用了带状系统快速求解的优势，可显著提高计算效率。该发明不仅适用于单一的相位调制信号，如巴克码波形，还适用于更为复杂的同时进行频率和相位调制的信号，因此具有广泛应用范围。
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公开(公告)号：CN109714019A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811494028.X
申请日：2018-12-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合双共振系统的声波滤波器，构成滤波器的两个共振系统相互耦合可以在低于3000Hz下产生的两个透射峰和一个透射谷。根据滤波器的双共振系统的耦合谐振特性，利用薄膜—空气柱振动系统可以调节声透射谷的频率，利用弹性体—质量块振动系统可以调节声透射峰的频率。本发明公开的声滤波器可独立控制两个透射峰及其透射谷的频率，为大波长低频声波调控和噪音控制提供子波长尺寸的声学器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111020506B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201911307177.5
申请日：2019-12-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法。包括如下步骤：将待溅射铌酸锂基片移入真空室室内并放置于样品座上；将真空室内的靶材的角度调整到预设角度，调节靶材到基板的距离到预设距离；对真空室进行抽真空，到达本底真空；通入氧气和氩气，在基片上溅射二氧化硅；在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属钛；在氩气环境下，打开直流电源在基片上溅射金属铂；将基片加热至400摄氏度后，在氧气和氩气条件下，打开射频电源在基片上溅射钛酸锶钡；完成步骤70后，加热基片至650摄氏度，在氧气环境下退火。本发明不仅简化了步骤并且节约了成本；且钛酸锶钡薄膜结晶效果良好。
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公开(公告)号：CN109801615A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811516462.3
申请日：2018-12-12
Applicant: 东南大学
IPC: G10K11/162 , G10K11/172
Abstract: 本发明涉及一种柔性亥姆霍兹声调控结构，包括侧壁相邻布设的柔性亥姆霍兹共振器和波导管，柔性亥姆霍兹腔体与波导管之间通过狭缝连通形成耦合结构；柔性亥姆霍兹腔体的两开口端分别布设相同的薄膜结构；本发明通过调节薄膜结构内薄膜的张力，改变柔性亥姆霍兹共振器与波导管的耦合谐振，实现低频可调声的控制；该装置利用波导管与亥姆霍兹腔体之间的耦合谐振来控制低频声传输，通过调节薄膜张力，改变柔性HR与波导管的耦合谐振了低频声波的调控。
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公开(公告)号：CN109741729A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811515617.1
申请日：2018-12-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种可调谐水-空气界面声波通讯结构，包括至少一个结构单元，前述的结构单元包括开设在基体材料内的声主波导和耦合旁支管；还包括两个弹簧滑块，两者沿着耦合旁支路截面径向方向相对布设在声主波导与耦合旁支管之间，两个相对布设的弹簧滑块之间的间隙形成连通声主波导和耦合旁支管的连接喉管；本发明通过调整两个弹簧滑块之间的距离实现连接喉管宽度的调整，且连接喉管将耦合旁支管沿着其截面径向方向分成对称的两部分；通过改变耦合波导的结构调节其谐振状态，从而实现多频点的声波在水-空气间透射，达到海-空之间声信息传输的目的。
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公开(公告)号：CN117595831A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311579280.1
申请日：2023-11-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带声阻抗可调节压电结构及其宽带声阻抗匹配方法，该阻抗可调压电结构有N个可调压电单元，每个可调压电单元由一个极化方向与声波传输方向相同的压电陶瓷和梯度分流电路组成；通过对单元中压电陶瓷的厚度与梯度分流电路的参数设计，使得每个可调压电单元具备不同的动态等效声阻抗。本发明使用基于非均匀梯度分流电路的压电结构阵列，减弱声波在阻抗失配界面的反射，实现宽频带的声能量传输；能够实现1.5～35MRayl的阻抗连续可调，并且通过电路参数设计可以在阻抗失配界面对宽频范围内的声波有很好的声阻抗匹配效果；通过改变压电陶瓷的厚度和梯度分流电路的参数，可以便捷地实现对不同频率范围声波的阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN116623292A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310439409.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅片上制备钛酸锶钡多晶薄膜的磁控溅射方法，涉及高质量纳米多晶薄膜制备技术领域，解决了钛酸锶钡薄膜在硅基片上结晶差的问题的技术问题，其技术方案要点是在硅片上通过磁控溅射直接制备钛酸锶钡多晶薄膜，在硅基片上长出的钛酸锶钡薄膜结晶效果良好，体现在X光衍射图谱中，在(100)、(110)、(111)、(200)和(211)面有较高的强度。SEM电子扫描显微镜结果显示，薄膜致密光滑，厚度可以达到240纳米。其工艺简单，设备简易；直接在硅基片上生长多晶钛酸锶钡纳米薄膜，成本低，可大批量生产。应用本发明制备的薄膜可实现高质量的结晶效果，在可调电容器、MFS晶体管等领域有很大的应用前景。
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