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公开(公告)号:CN104639164A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201510069640.2
申请日:2015-02-10
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/10
CPC classification number: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种应用于单端SAR ADC的二进制电容阵列冗余校准方法,通过该方法能够校准二进制电容阵列由于建立不完全所导致的动态误差。该方法包括冗余校准的二进制电容阵列,比较器,SAR逻辑控制模块,输出码计算模块,其中冗余校准的二进制电容阵列包括二进制电容阵列以及加法冗余电容和减法冗余电容。该校准方法在二进制电容DAC阵列的基础上插入冗余电容,实现多个数字编码对应一个ADC模拟输入,在冗余位转换的时候检测是否有错误的存在,并根据对应的情况对加法冗余电容或者减法冗余电容进行操作以补偿所产生的误差。