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公开(公告)号：CN105024647A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510443954.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种全波段太赫兹三倍频模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入端的匹配波导、芯片通道和输出端的匹配波导；芯片通道内设置太赫兹全波段倍频芯片，所述太赫兹全波段倍频芯粘接在金属上基座上，所述太赫兹全波段倍频芯片分别与输入端的匹配波导和输出端的匹配波导连接。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术，具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点；本发明具有全波段带宽的特点；本发明具有无需外加偏置的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN103151985B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310010842.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种E波段多芯片集成倍频模块，包括金属上基座、金属下基座和倍频电路，所述金属上基座和金属下基座拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头，所述输出端为标准波导法兰结构。本发明提供的E波段多芯片集成倍频模块，具有结构紧凑、集成度高等优点，同时采用标准SMA接头和标准波导法兰结构能够易于外接各类测试线缆及测试设备；且成本低、一致性好、便于规模制造。
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公开(公告)号：CN102946228B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210467894.6
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种基于Y形结构的太赫兹功率合成二倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置输入波导结构、两组合成通道、输出波导结构和两组直流偏置电路；所述输入波导结构和输出波导结构为Y形，两组合成通道和直流偏置电路分别沿输入波导结构和输出波导结构Y形的中心线镜像设置，输入波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输入端，输出波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输出端，两组合成通道内分别悬置薄膜芯片，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明具有结构紧凑、集成度高的特点：基于微纳技术，便于集成，结构紧凑。
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公开(公告)号：CN101764274B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010106348.0
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 矩形过模波导H型模片高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，可以在同样的频率上，在基本不影响主模通过的同时，滤掉矩形过模波导中的多种高次模。该矩形过模波导H型模片高次模多模滤模器包括矩形过模波导(1)和H形模片(2)，其中：H型模片(2)位于矩形过模波导(1)的内部，其与矩形过模波导(1)的横截面平行；H型模片(2)为薄的导体片，其形状为H形H形模片(2)两边的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度，H形模片(2)的宽度等于矩形过模波导(1)内腔宽壁(4)宽度，从而H型模片(2)连接矩形过模波导的上下两个内腔宽壁(4)和左右两个内腔窄壁(3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151985A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310010842.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种E波段多芯片集成倍频模块，包括金属上基座、金属下基座和倍频电路，所述金属上基座和金属下基座拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头，所述输出端为标准波导法兰结构。本发明提供的E波段多芯片集成倍频模块，具有结构紧凑、集成度高等优点，同时采用标准SMA接头和标准波导法兰结构能够易于外接各类测试线缆及测试设备；且成本低、一致性好、便于规模制造。
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公开(公告)号：CN101728603B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010106344.2
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 矩形过模波导单级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，可以同时滤掉矩形过模波导中的多种高次模。该高次模滤模器包括矩形过模波导(1)和模片(2)；其中：模片(2)为薄的导体片，其形状为矩形；模片(2)有两块，平行位于矩形过模波导(1)的内的同一横截面两侧，且与矩形过模波导(1)的横截面平行；这样的两块模片(2)构成一组平行模片；模片(2)在矩形过模波导(1)内的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度；模片(2)的宽度小于矩形过模波导(1)内腔宽壁(4)宽度的一半。
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公开(公告)号：CN105742807A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610237239.X
申请日：2016-04-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于成像系统的Vivaldi天线装置，利用新型人工电磁材料的在天线渐变槽线端口设置平面超材料透镜，在不增加天线固有尺寸以及不破坏E面辐射特性的基础上，实现了H面方向图波束宽度的拓展，进一步利用金属腔体加载来隔离天线间信号互耦，并通过加载三维超材料透镜，拓宽E面和H面方向图波束宽度，以实现同时提高隔离度和波束宽度的需求。本发明的Vivaldi天线装置解决了现有Vivaldi天线E面辐射波束宽度过窄以及互耦过强的问题，具有高隔离度、宽波束宽度、易于加工、成本低、重量轻和尺寸小便于集成等优点。
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公开(公告)号：CN105007045A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510443633.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹基波混频模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置本振输入端的匹配波导、芯片通道、射频输入端的匹配波导、中频输出电路和直流偏置电路；芯片通道的一端连接本振输入端匹配波导，另一端射频输入端的匹配波导，芯片通道内设置混频芯片，混频芯片粘接到金属上基座上，直流偏置电路上设置去耦电容，去耦电容为片上电容。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术，具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点；本发明中射频及本振两路输入经由各自不同的通路完成信号传输，具有射频本振隔离性能好的特点；本发明具有混频损耗小的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN101728602B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010106333.4
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 矩形过模波导H型模片紧凑型多级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，其中：H型模片(2)位于矩形过模波导(1)的内部，其与矩形过模波导(1)的横截面平行；H型模片(2)为薄的导体片，其形状为H形；H形模片(2)两边的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度，H形模片(2)的宽度等于矩形过模波导(1)内腔宽壁(4)宽度，从而H型模片(2)连接矩形过模波导的上下两个内腔宽壁(4)和左右两个内腔窄壁(3)；在矩形过模波导(1)里有两个或两个以上所述的形状和尺寸都相同的H型模片(2)，在矩形过模波导(1)内的相邻两个H型模片(2)之间的空间构成了一个谐振单元(5)。
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