公开(公告)号：CN109524245A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811381555.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 郭新立 ,  王艺璇 ,  张伟杰 ,  陈忠涛 ,  金开 ,  刘园园 ,  刘闯 ,  殷亮亮 ,  郑燕梅 ,  唐璇

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/44 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种高性能镍-钴硒化物/三维石墨烯/泡沫镍无粘结剂电极材料的制备方法，包括以下步骤：首先以CH4作为碳源，通过CVD技术制备生长有三维石墨烯的泡沫镍；再将制备好的三维石墨烯的泡沫镍浸入溶液中，通过第一次水热反应；将沉淀物收集并多次洗涤，加入硒粉和NaOH后进行第二次水热反应，最后清洗样品并在真空环境中进行干燥。通过简单的CVD方法，在泡沫镍上原位生长了一层三维石墨烯，随后在未添加其他改性剂或活化剂的情况下，通过两次水热反应，在三维石墨烯/泡沫镍上直接生长镍-钴硒化物，制备得到了一种无粘结剂、稳定、电化学性能优异的新型电极材料，在能源领域以及其它电子器件领域有着广阔的应用前景。