公开(公告)号：CN111653502A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010111245.7

申请日：2020-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高山和也 ,  鹤崎广太郎 ,  山下浩司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。

公开(公告)号：CN111524808A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010079765.4

申请日：2020-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 平山司 ,  稻田尊士 ,  百武宏展 ,  高山和也 ,  河野央

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。