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公开(公告)号：CN102263001B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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公开(公告)号：CN102263026B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110206125.6
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。
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公开(公告)号：CN102263001A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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公开(公告)号：CN100390957C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610057697.1
申请日：2006-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/00 , C23F4/00 , H05H1/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的表面内温度保持均匀的基座。基座(13)具有比基板(W)小的基板保持面(20)。基板保持面(20)具备外周环(21)和多个凸部(22)。在基板保持面(20)的中心区域(R1)中均等地配置凸部(22)。在基板保持面(20)的中间区域(R2)中，按照单位面积的个数比中心区域(R1)少的方式配置凸部(22)。在基板保持面(20)的外周区域(R1)中配置凸部(22)与外周环(21)。由此使基板保持面(20)的中间区域(R2)中的传热率比中心区域(R1)低，使外周区域(R3)中的传热率比中心区域(R1)高。
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公开(公告)号：CN100347817C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN02823544.4
申请日：2002-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/50 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)具有一个装置主体(2)和附带设备(3)。附带设备(3)包括一个给处理室(4)供应功率的供电设备(5)和多个干泵(6)和(7)等等。供电设备(5)包括一个匹配单元(9)，一个通过同轴电缆(24)连接到匹配单元(9)的RF放大器(13)，和一个其中具有DC放大器(14)的功率控制器(12)。RF放大器(13)对于DC放大器(14)而言，以一个独立部分形成，并被放置在远离DC放大器(14)且接近匹配单元(9)的位置，且通过普通电缆(25)连接到DC放大器(14)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1973363A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020518.0
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN1873911A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610082631.8
申请日：2006-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/67 , C23C16/00 , C23C14/00 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供以简单的构成能够容易地控制聚合物的附着量的等离子体处理室。等离子体处理室(10)具有覆盖容器(11)的内周面的圆筒状的侧壁构件(45)，电位控制装置(46)具有通过升降与侧壁构件(45)接触，或者不与侧壁构件(45)接触、接地的导通构件(47)，在RIE处理中，通过使导通构件(47)下降与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为接地电位，在灰化处理中，通过使导通构件(47)上升不与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为浮接电位。
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公开(公告)号：CN1835203A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610057697.1
申请日：2006-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/00 , C23F4/00 , H05H1/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的表面内温度保持均匀的基座。基座(13)具有比基板(W)小的基板保持面(20)。基板保持面(20)具备外周环(21)和多个凸部(22)。在基板保持面(20)的中心区域(R1)中均等地配置凸部(22)。在基板保持面(20)的中间区域(R2)中，按照单位面积的个数比中心区域(R1)少的方式配置凸部(22)。在基板保持面(20)的外周区域(R1)中配置凸部(22)与外周环(21)。由此使基板保持面(20)的中间区域(R2)中的传热率比中心区域(R1)低，使外周区域(R3)中的传热率比中心区域(R1)高。
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公开(公告)号：CN1538501A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410030234.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C14/34 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第1电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有VHF带频率的高频电力；匹配器与所述高频电源部和所述第1电极电连接，获得阻抗的匹配；以及传输线路，从所述高频电源部至所述匹配器传输所述高频电力。在所述处理容器内可配置被处理基板，通过传输到所述第1电极的所述高频电力产生的等离子体，可对该被处理基板实施等离子体处理。所述传输线路比可产生所述高频电力的第3高次谐波的谐振状态的最短长度短。
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公开(公告)号：CN102270577B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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