公开(公告)号：CN101158032A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710192998.X

申请日：2007-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  水永觉 ,  户根川大和 ,  西村俊治

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  B08B5/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。