公开(公告)号：CN1639859A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804690.3

申请日：2003-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤宽 ,  稻泽刚一郎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在双镶嵌式方法中，防止弯曲和蚀槽的产生。对于如图2(A)所示的那样具有断面构造的制造过程的半导体装置，进行如图2(B)所示的氮化硅蚀刻。其结果是铜膜(26)的一部分被氧化而变成氧化物(43)，另外，CFx沉积物(44)在其上堆积。但是，在图2(C)中，可以通过使用氢等离子体进行有机绝缘膜的蚀刻，使氧化物(43)还原为铜，另外，可以通过将CFx沉积物转换为挥发性的化合物而除去。

公开(公告)号：CN101095379B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200580045692.0

申请日：2005-12-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻泽刚一郎 ,  瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  萩原正明 ,  西村荣一

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063

Abstract: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。

公开(公告)号：CN100521088C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200380100597.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  稻泽刚一郎 ,  樋口公博 ,  V·巴拉苏布拉马尼雅姆 ,  西村荣一 ,  R·金 ,  P·桑索内 ,  萩原正明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/09

Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。

公开(公告)号：CN101095379A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580045692.0

申请日：2005-12-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻泽刚一郎 ,  瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩 ,  萩原正明 ,  西村荣一

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063

Abstract: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。

公开(公告)号：CN100336199C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03804690.3

申请日：2003-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤宽 ,  稻泽刚一郎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在双镶嵌式方法中，防止弯曲和蚀槽的产生。对于如图2(A)所示的那样具有断面构造的制造过程的半导体装置，进行如图2(B)所示的氮化硅蚀刻。其结果是铜膜(26)的一部分被氧化而变成氧化物(43)，另外，CFx沉积物(44)在其上堆积。但是，在图2(C)中，可以通过使用氢等离子体进行有机绝缘膜的蚀刻，使氧化物(43)还原为铜，另外，可以通过将CFx沉积物转换为挥发性的化合物而除去。