-
公开(公告)号：CN100476331C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610067374.0
申请日：2006-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: F26B3/06
CPC classification number: F27B5/04 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的加热装置(2)具备：热板(41)，载置基板(W)；顶板(62)，与该基板对置；气体排出部(31)，设在上述热板(41)的一端侧，将气体排出到该热板(41)和顶板(62)之间；排气部(51)，夹着上述热板(41)与气体排出部(31)对置而设置；加热部(42a～42h)，独立地加热基板(W)的第1区域(P1)、第2区域(P2)。通过形成单向流、将第1区域(P1)和第2区域(P2)加热到不同的温度，进行面内均匀性较高的加热处理。在该加热装置(2)中，通过将上述气体加热到一定温度并在该热板(41)上装备一定高度的突起部(46)，能够防止因基板(W)弯曲造成的位置偏移，并且能够防止基板(W)冷却，所以可进行面内均匀性较高的加热处理。
-
公开(公告)号：CN1924709A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126641.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C30B33/02 , C30B35/00 , H01L21/67098 , H01L21/67748
Abstract: 加热装置(2)具有：壳体(20)；扁平的加热室(4)，设置在壳体(20)内，对作为基板的晶片(W)进行加热处理，并且一侧端为了送入送出晶片(W)而开口；热板(44、45)，设置在所述加热室(4)上，对所述晶片(W)从上方和下方进行加热。在所述壳体(20)内，与所述加热室(4)的开口端相邻地设置有冷却板(3)，对被热板(44、45)加热的晶片(W)进行冷却。所述壳体(20)内设置有输送组件，该输送组件在冷却板(3)的上方一侧位置与加热室(4)的内部之间进行所述晶片(W)的输送，在所述加热室(4)内在对晶片(W)进行保持的状态下进行基板的加热处理。
-
公开(公告)号：CN1837731A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610067374.0
申请日：2006-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: F26B3/06
CPC classification number: F27B5/04 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的加热装置(2)具备：热板(41)，载置基板(W)；顶板(62)，与该基板对置；气体排出部(31)，设在上述热板(41)的一端侧，将气体排出到该热板(41)和顶板(62)之间；排气部(51)，夹着上述热板(41)与气体排出部(31)对置而设置；加热部(42a～h)，独力地加热基板(W)的第1区域(P1)、第2区域(P2)。通过形成单向流、将第1区域(P1)和第2区域(P2)加热到不同的温度，进行面内均匀性较高的加热处理。在该加热装置(2)中，通过将上述气体加热到一定温度并在该热板(41)上装备一定高度的突起部(46)，能够防止因基板(W)弯曲造成的位置偏移，并且能够防止基板(W)冷却，所以可进行面内均匀性较高的加热处理。
-
公开(公告)号：CN119895558A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380067327.8
申请日：2023-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福冈哲夫
IPC: H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 一种处理方法，是使用了静电承载件的芯片的处理方法，所述静电承载件具有主体部和绝缘层，所述主体部具有导电性，在所述主体部的厚度方向上具有多个贯通孔，所述绝缘层形成于所述主体部的表面，所述处理方法包括：将多个所述芯片排列配置在所述静电承载件的保持面上；向所述主体部供电，来使所述主体部带电；以及使接地线与所述芯片接触，来在该芯片与所述主体部之间产生静电力。
-
公开(公告)号：CN110429042B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910337614.1
申请日：2019-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福冈哲夫
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明在目标温度有改变时能够在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。温度调节单元(143)将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度后供给到对晶片释放出抗蚀剂液的喷嘴，其包括：主体部(160)，其形成有抗蚀剂液的流路(160a)，并具有热传导性；设置于主体部(160)的至少一面的帕尔帖元件(161)；检测主体部(160)的温度的温度传感器(162)；和控制部制帕尔帖元件(161)，将主体部(160)的温度调节为主体部目标温度，由此将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度。(200)，其基于温度传感器(162)的检测结果来控
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115083890A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210196093.4
申请日：2022-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福冈哲夫
IPC: H01L21/027 , G03F7/16
Abstract: 本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括：作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘(21)，其中，该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液；和气体供给部(40)，其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部，供给温度比常温高的第1温度的第1气体(F1)。
-
公开(公告)号：CN101996859B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201010262548.5
申请日：2010-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/4485
Abstract: 本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水化气体、还能抑制药液发生变质的疏水化处理装置、疏水化处理方法以及存储介质。疏水化处理装置包括：气化面形成部，其表面位于气化室内；气化面加热部件，其用于加热该气化面形成部；药液供给口，其用于将疏水化处理用的药液供给到上述气化面形成部的表面上；气体导入口，其用于将载气导入上述气化室内；引出口，其用于引出疏水化气体；处理容器，其用于将自上述引出口供给的疏水化气体供给到基板上。利用该结构能够将高浓度的疏水化气体供给到基板上，且由于在不进行处理时所贮存的药液不会与载气接触，因此能够抑制药液变质。
-
公开(公告)号：CN102592835A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210010400.1
申请日：2012-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种电极制造装置，其在制造电极时能够在带状的基材的表面适当地形成活性物质层。该电极制造装置包括：放卷带状的金属箔的放卷辊；在金属箔的两面涂敷活性物质混合剂的涂敷部；使金属箔上的活性物质混合剂干燥以形成活性物质层的干燥部；和卷取金属箔的卷取辊。干燥部包括：多个杆式加热器，其在金属箔的长边方向排列配置，并照射红外线；多个反射板，其夹着杆式加热器与金属箔的表面相对地配置，使来自杆式加热器的红外线反射到金属箔侧；供气口，其形成在相邻的反射板之间，对反射板与金属箔之间的干燥区域供给空气；和排气口，其形成在另外的相邻的反射板之间，将干燥区域内的空气排出。
-
公开(公告)号：CN1854908A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610066684.0
申请日：2006-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
-
公开(公告)号：CN118556278A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202380017360.X
申请日：2023-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福冈哲夫
Abstract: 本公开的涂布膜形成装置具备：旋转保持部，其保持基板并使所述基板旋转；涂布液喷嘴，其向旋转的所述基板的周缘部的第一位置喷出涂布液，来形成沿着该基板的整周的环状的涂布膜；以及气体喷嘴，其是为了向旋转的所述基板中的比所述第一位置靠该基板的旋转中心且在该基板的旋转方向的下游侧的第二位置喷出气体、来通过从该第二位置去向所述基板的周端的所述气体的流动对所述涂布膜进行整形而设置的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.027 seconds)
